季尚司
,
左然
,
苏文佳
,
韩江山
人工晶体学报
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量.同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低.
关键词:
铸造多晶硅
,
杂质传输
,
Si3N4涂层
,
数值模拟
李永乐
,
黄金亮
,
李飞龙
,
李谦
,
李丽华
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201705012
以α-Si3N4和β-Si3N4粉为原料,采用免烧结工艺在坩埚内壁上分别制备了α-Si3N4涂层、β-Si3N4涂层以及二者质量比为1∶1的复合涂层,然后在这些涂层坩埚中制备得到了多晶硅铸锭,观察了涂层和硅锭的表面形貌,测试了硅锭的表面粗糙度、晶粒大小以及红区长度.结果表明:α-Si3N4涂层表面粗糙不平、起伏不均匀,对应硅锭的表面粗糙度和晶粒尺寸最大,红区最长;β-Si3N4涂层表面较平整且起伏均匀,对应硅锭的表面粗糙度最小,晶粒尺寸较小,红区最短;复合涂层的表面粗糙度介于上述二者之间,对应硅锭的晶粒尺寸最小,红区长度介于二者之间.
关键词:
表面粗糙度
,
Si3N4涂层
,
红区长度
,
晶粒尺寸
