昝青峰
,
黄勇
,
汪长安
,
李淑琴
,
李翠伟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2001.05.006
用SiC晶须和长柱状β-Si3N4对Si3N4/BN层状材料的基体层和分隔层进行了强化。轧膜工艺对SiC晶须和原料中存在的少量β-Si3N4晶粒有一定的定向作用，而基体层中定向分布的SiC晶须和长柱状的β-Si3N4晶粒对基体层的强韧化作用类似于块体材料，其抗弯强度和断裂韧性的提高幅度都大于50%；分隔层中β-Si3N4的定向度较差，但这有利于形成网状结构，在分隔层中起到骨架的作用，同时还可以增加裂纹的扩展长度，改善分隔层与基体层的界面结合状态。最终得到性能最佳的材料的成分为Si3N4+20wt%SiC晶须（基体层），BN+15vol%β-Si3N4（分隔层），其断裂功可达4820J/m2，抗弯强度仍可保持在650MPa。
关键词:
层状材料
,
SiC晶须
,
长柱状β-Si3N4
,
分隔层
张颖
,
蒋明学
,
张军战
人工晶体学报
以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500 ℃、1550 ℃、1600 ℃制备了SiC晶须.通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理.结果表明:当合成温度为1500 ℃时,所合成的SiC晶须形貌呈竹节状,选区电子衍射分析发现孪晶等面缺陷在晶须的生长方向上周期性出现;当合成温度在1550 ℃以上时,哑铃状晶须的数量会急剧增多,分析表明晶须表面包裹的串珠小球为β-SiC.在晶须的顶端发现催化剂熔球,由此推测生长机理为VLS机理,但当合成温度超过1550 ℃时,SiC会以VS生长机理沿径向沉积生成哑铃状晶须.
关键词:
碳热还原
,
SiC晶须
,
合成温度
,
生长机理
袁鑫
,
赵剑峰
功能材料
进行了含粘结剂和不含粘结剂的SiC纳米颗粒激光照射原位生成SiC晶须的比对试验,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶须的相组成和微观形貌,研究了粘结剂对生成晶须的影响.结果表明,在适当的激光参数下,不含粘结剂和含粘结剂的样品中均有晶须生成,不含粘结剂样品中晶须数量较少,而含粘结剂样品中晶须数量众多,且尺寸、形态各异.SiC纳米颗粒中掺入粘结剂可大幅度提高SiC晶须的生成数量,但并不影响晶须的纯度.
关键词:
激光照射
,
原位生长
,
SiC晶须
,
粘结剂
郗雨林
,
柴东朗
,
张文兴
,
席生歧
,
周敬恩
稀有金属材料与工程
采用粉末冶金法制备了SiC晶须增强镁基复合材料(SiCw/MB15)试样.通过检测基体显微硬度探讨了SiCw对镁合金时效规律的影响,并借助扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和拉伸试验,研究了混粉方式对复合材料室温力学性能、SiCw分布及显微结构的影响.结果表明,MB15及其复合材料的时效硬化曲线上均存在双峰现象;SiCw的加入既提高了MB15的硬度,又加快了其时效速度;混粉方式对晶须分布及SiCw/MB15复合材料的室温力学性能影响很大.
关键词:
粉末冶金
,
SiC晶须
,
镁基复合材料
,
时效特性
,
力学性能
周宏明
,
易丹青
,
柳公器
,
肖来荣
稀有金属材料与工程
采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、维氏硬度计、电子万能材料试验机研究MoSi_2-Si_3N_(4(p))/SiC_(w)复合材料的结构、形貌、硬度、断裂韧性,并对SiC晶须和Si_3N_4颗粒复合强韧化MoSi_2的机理进行了探讨.结果表明,SiC晶须和Si_3N_4颗粒对MoSi_2具有协同强韧化作用,MoSi_2-20%Si_3N_(4(p))-20%SiC_(w)(体积分数,下同)复合材料的抗弯强度达427 MPa,室温断裂韧性达到10.4 MPa·m~(1/2),均高于单一强韧化剂的强韧化效果.MoSi_2-20%Si_3N_(4(p))-20%SiC_(w)复合材料的强化机理为细晶强化和弥散强化;韧化机制为细晶韧化、裂纹偏转与分支和微桥接韧化.
关键词:
MoSi_2
,
复合材料
,
Si_3N_4颗粒
,
SiC晶须
,
强韧化机制
金燕苹
,
顾明元
,
施忠良
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.02.007
采用示差扫描量热法(DSC)研究了SiC晶须、SiC颗粒和短碳纤维混杂对Zn-23Al-2Cu合金的时效动力学及熔融过程的影响.研究结果表明,增强体的加入改变了基体合金的时效动力学,使时效析出温度提前,同时又减少了时效析出相的数量,在两种复合材料中,SiC晶须的影响最大.增强体的加入对共析转变温度和β-相的固相线温度影响不大,但它使复合材料的基体中出现了在纯基体合金中没有的共晶相.
关键词:
锌铝合金基复合材料
,
SiC晶须
,
碳纤维
,
时效
,
热分析
梁峰
,
李楠
,
刘百宽
,
贺中央
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2013.04.002
为了研究微米或纳米结构的碳材料对Al2O3-Si-C材料基质中生成SiC晶体结构和形貌的影响,采用板状刚玉细粉和单质Si粉为原料,分别以碳纳米管、纳米炭黑和超细鳞片石墨为碳源,制备了添加三种不同碳源的Al2O3-Si-C基质试样,在埋炭气氛下于1000、1200和1400℃分别保温3h热处理,用XRD分析处理后试样的相组成,通过FESEM观察试样基质中的SiC晶体形貌.结果表明:1)较高的热处理温度可以促进SiC的反应生成,SiC的生成量随热处理温度的升高而增加.2)不同碳源在试样中原位形成SiC的形貌和反应机制各不相同:碳纳米管通过模板反应被逐渐转化为SiC晶须；Si与纳米炭黑之间快速反应形核,成核后的SiC晶体向各个方向均匀生长并形成SiC颗粒；超细石墨片晶从边缘向内部逐渐反应生成SiC晶须.
关键词:
Al2O3-Si-C
,
超细鳞片石墨
,
纳米炭黑
,
碳纳米管
,
SiC晶须
周延春
,
常昕
,
周敬
,
夏非
金属学报
利用透射电子显微镜研究了气—液—固(VLS)法生长的β—SiC晶须中的孪晶构型。在竹节状的SiC晶须中,β—SiC节与含高密度堆垛层错(或一维无序)的节之间孪生相连,其李晶界为{111}_β;同时还观察到有的β-SiC节被{111}_β孪晶界分为两节。此外,在晶须的头部及分叉处还观察到了孪晶界平行晶须轴向的孪晶结构。利用选区电子衍射和像衍衬分析发现,这种双晶SiC晶须的孪晶面平行于基体的{001}_M。
关键词:
SiC晶须
,
twin
,
bicrystalline whisker
,
null
张军战
,
张颖
,
蒋明学
,
刘民生
功能材料
分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源，炭黑为碳源，氧化硼为催化剂，采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明，采用两种硅源所合成的晶须均为B—SiC单晶，晶须的生长面为（111）面，生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别，表明其合成SiC晶须的生长机理不同，VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。
关键词:
碳热还原
,
SiC晶须
,
形貌结构
,
生长机理
