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AlGaN成核层对SiC衬底外延GaN薄膜应力及缺陷影响的研究

徐明升 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

研究了成核层生长条件对SiC衬底上GaN薄膜晶体质量和剩余应力的影响.采用AlGaN成核层并提高其生长温度,能明显降低SiC衬底上GaN外延层的缺陷密度和剩余应力.GaN薄膜的高分辨XRD摇摆曲线(0002)和(10-12)面的半峰宽达到161 arcsec和244 arcsec,拉曼频移达到567.7 cm-1.成核层的原子力显微镜结果显示GaN薄膜的晶体质量随着成核岛密度的降低而提高.

关键词: SiC衬底 , GaN薄膜 , AlGaN成核层 , 应力 , 晶体质量

(0001)SiC衬底MgB2超薄膜的制备和性质研究

陈雷 , 马世成 , 冯庆荣 , 董兴辉 , 朱凌志

低温物理学报

利用混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为(HPCVD)在(0001) SiC衬底上制备了干净的MgB2超导超薄膜.在背景气体、压强、载气氢气流量以及B2H6的流量一定的情况下,改变沉积时间,制得一系列MgB2超薄膜样品.通过观察样品的表面形貌变化探究了MgB2超薄膜的生长过程.该系列超薄膜的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式且沿c轴外延生长.以20nm超薄膜作为例子,可知其表面连接性良好,超导转变温度Tc (0)≈38.5K,临界电流密度Jc≈0.82×107 A/cm2,表明了利用HPCVD在(0001) SiC衬底上制备的MgB2超薄膜有很好的性能.这预示其在超导电子器件上具有广阔的应用前景.

关键词: SiC衬底 , MgB2超薄膜 , 混合物理化学气相沉积

SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析

于国建 , 徐明升 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析.分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90%,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级.

关键词: 高分辨X射线衍射 , SiC衬底 , GaN外延层

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