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溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响

肖兴成 , 宋力昕 , 江伟辉 , 彭晓峰 , 胡行方

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.024

本文利用射频磁控溅射工艺制备了SiCN薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、N分压对薄膜沉积和光学性能的影响. 研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Si、C和N两两之间形成了共价键. N分压的提高降低了薄膜的沉积速率. N流量的提高使光学带隙增大. 溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小

关键词: SiCN薄膜 , 磁控溅射 , FTIR , 光学带隙