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铁诱导低温SiC薄膜的合成

于威 , 郑志远 , 刘丽辉 , 傅广生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.012

采用热丝化学气相沉积法,以铁作为催化剂,在较低的衬底温度合成纳米SiC薄膜.铁粒子是在400Pa氢气的气氛中,通过用脉冲激光烧蚀铁靶5min引入的.用扫描电镜和拉曼谱对样品进行了分析.扫描电镜观察到了直径为10-30nm,长度短于1μm的无序SiC棒.拉曼谱中的横向生子模式的红移表明生长方向的限制效应.所有这些说明Fe粒子的大小将影响到SiC棒的生长.

关键词: SiC棒 , HFCVD , 催化剂Fe

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