石礼伟
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李玉国
,
王强
,
薛成山
,
庄惠照
稀有金属材料与工程
采用二氧化硅/碳化硅复合靶,用射频磁控共溅射技术和后高温退火的方法在Si(111)衬底上制备了碳化硅纳米颗粒/二氧化硅基质(nc-SiC/SiO2)镶嵌结构薄膜材料,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的微结构以及光致发光特性.结果表明:样品薄膜经高温退火后,部分无定形SiC发生晶化,形成β-SiC纳米颗粒而较均匀地镶嵌在SiO2基质中.以280nm波长光激发薄膜表面,有较强的365 nm的紫外光发射以及458 nm和490 nm处的蓝光发射,其发光强度随退火温度的升高显著增强,发光归结为薄膜中与Si-O相关的缺陷形成的发光中心.
关键词:
磁控共溅射
,
SiC纳米颗粒
,
微观结构
,
光致发光
唐陈霞
,
赵剑峰
,
关芳芳
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.010
以激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,用激光照射SiC纳米颗粒原位生长晶须.结果表明:由于激光能量输出的瞬时特性,SiC纳米颗粒受到激光的照射可瞬时生成SiC晶须.随着激光功率的提高,晶须的直径从纳米级增大到微米级.由于在激光光斑内能量呈高斯分布,光斑内不同区域的SiC颗粒的温度不同,致使生成的晶须形态在不同的区域分别呈现为团絮状、网状和棒状等.X射线衍射分析表明,激光照射SiC纳米颗粒原位生长的晶须具有很高的纯度.
关键词:
材料合成与加工工艺
,
SiC晶须
,
激光照射
,
SiC纳米颗粒
杨小燕
,
吴洁华
,
任都迪
,
张天松
,
陈立东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160060
采用感应熔炼、球磨与放电等离子烧结的方法制备了SiC第二相均匀分布的Si80Ge20B0.6-SiC纳米复合热电材料.系统研究了细化Si80Ge20B0.6晶粒尺寸与复合SiC纳米颗粒对材料热电性能的影响.球磨导致的Si80Ge20B0.6晶粒尺寸的降低显著增加了材料的晶界数量,进而增强了晶界对中长波声子的散射,能够有效降低材料的晶格热导.Si80Ge20B0.6基体中均匀分布的纳米SiC颗粒提供了额外的散射中心和界面,可进一步增强声子散射,降低材料的晶格热导.在纳米结构化与SiC纳米复合的共同作用下,材料在1000 K时热电优值ZT达到了0.62,较基体提高了17％.证明纳米结构化与纳米复合方法能够共同作用于硅锗合金,提高其热电性能.
关键词:
硅锗合金
,
SiC纳米颗粒
,
热电材料
,
纳米复合
,
纳米结构
齐艳飞
,
王波
,
张娜
,
滑鹏敏
,
周宏林
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2016.06.006
SiC纳米颗粒作为增强相添加到复合镀层中,可提高镀层的综合性能.分析了SiC纳米颗粒对镀层的表面形貌、显微硬度、耐磨性和耐腐蚀性等性能的影响机理,讨论了SiC纳米颗粒浓度、电流密度和搅拌速度等工艺参数对制备复合镀层的影响,阐述了不同电沉积方式对制备复合镀层的影响,指出在SiC纳米颗粒增强型复合镀层研究中尚需解决的若干问题.
关键词:
SiC纳米颗粒
,
性能
,
工艺参数
,
电沉积方法
