李合琴
,
都智
,
储汉奇
,
聂竹华
材料热处理学报
用磁控溅射法在奥氏体不锈钢基片上制备了SiC单层膜和Ti／TiN双层膜以及Ti／TiN／SiC功能梯度薄膜。采用XRD和显微硬度计对薄膜的结晶质量和硬度进行表征；用AFM和SEM对薄膜的表面和截面形貌进行了表征。结果表明：Ti／TiN双层膜在氩氮流量比为15：15时，薄膜的结晶质量最好，硬度最高，达到15．6GPa，最适合作为钢基SiC薄膜的缓冲层。另外，功能梯度SiC薄膜比SiC单层膜的结晶质量好；不同退火温度下功能梯度SiC薄膜的硬度高于SiC单层膜，同时功能梯度SiC薄膜的表面结晶质量也优于SiC单层膜。
关键词:
功能梯度薄膜
,
SiC薄膜
,
奥氏体不锈钢
,
制备
,
Ti/TiN
,
显微硬度计
,
不锈钢基片
,
结晶质量
周继承
,
郑旭强
功能材料
用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜,并对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜的表面形貌,测量了薄膜的厚度与透射光谱.用J.C.Manifacier提出并由R.Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行了分析计算,并结合Tuac公式确定了薄膜的光学带隙.结果表明:在不同射频功率下制备的薄膜均有较强的蓝紫光吸收特性,在低功率下可制备出表面平整,吸收系数小,光学带隙大的薄膜;退火处理后薄膜的吸收系数减小,光学带隙增大,晶粒向圆形转化且尺寸变大.
关键词:
SiC薄膜
,
射频磁控溅射
,
表面形貌
,
光学特性
许晓静
,
姜玉杰
,
陆树显
,
曹进琪
,
邵红红
,
高建昌
稀有金属材料与工程
考察了SiC薄膜对块体纳米结构钛力学和摩擦性能的影响.实验采用磁控溅射技术制备SiC薄膜(样品台不加温),使用划痕仪测量界面结合力,采用拉伸试验机测量拉伸性能,采用摩擦试验机测量摩擦性能(对摩件为Si3N4,干摩擦),采用SEM-EDAX观察分析微观组织.研究了薄膜(或涂层)对块体纳米材料力学性能的影响,并且获得了一种兼具高强度、良好塑性和良好摩擦学性能的纯钛金属材料.研究结果表明,SiC薄膜不仅不会降低纳米结构Ti的拉伸性能,而且能显著降低摩擦系数(从0.7到0.3),大大提升抗磨性能.
关键词:
SiC薄膜
,
磁控溅射
,
纳米结构钛基材
,
拉伸性能
,
摩擦学性能
李辉
,
李合琴
,
胡仁杰
,
张元元
材料热处理学报
用射频磁控溅射法在单晶Si(100)基片上制备了SiC薄膜.将制备的薄膜分别在800、900和1000℃空气气氛中退火120 min.用X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪测试了薄膜的结构,用X射线光电子能谱仪测试了薄膜元素的组成和状态,用场发射扫描电子显微镜测试了薄膜表面的形貌.结果表明:经800℃空气退火后,薄膜表面生成了一层SiO2保护层,阻止了内部SiC薄膜的继续氧化,因此SiC薄膜在800℃具有较好的高温抗氧化性；随着退火温度的升高,SiC薄膜被进一步氧化,经1000℃空气退火后,薄膜已大部分转变为SiO2.
关键词:
SiC薄膜
,
射频磁控溅射
,
SiO2
,
抗氧化性
邵红红
,
高建昌
,
华戟云
,
李宁
功能材料
采用磁控溅射的方法溅射SiC靶材所制备的碳化硅薄膜由于制备过程中碳易被溅射气体带走而很难形成结构较好的晶态结构.采用纯物理方法实时增碳又非常困难,实验采用先对衬底升温射频磁控溅射沉积碳化硅,然后再用直流法在表面沉积碳--两步法在钢基体表面制备薄膜.对所制备的薄膜结构采用X射线衍射和傅立叶红外吸收光谱表征;并通过扫描电镜观察了薄膜的表面形貌.结果表明,通过这种方法所得出的薄膜在XRD图像中显示了很明显的3C-SiC的晶态峰,在红外分析中也得到了其相应的吸收峰.
关键词:
SiC薄膜
,
非晶碳膜
,
磁控溅射
,
X射线衍射
,
傅立叶红外吸收光谱
邵红红
,
张晔
,
高建昌
功能材料
用磁控溅射的方法在40Cr钢的表面制得了SiC薄膜.通过X射线衍射、傅里叶红外光谱分析、摩擦磨损以及划痕试验研究了工艺参数、溅射方式对薄膜性能的影响.结果表明:室温下,用磁控溅射法制备的SiC薄膜具有非晶态结构;傅立叶红外光谱证实了薄膜中除了Si-C键的存在外还有大量的Si-Si键;在相同的工艺参数下用射频溅射法制备的薄膜表面更为光滑致密,与基体结合更好;采用射频溅射法,在功率200W,时间为2h,工作气压为0.1Pa条件下制备的SiC薄膜性能最佳.
关键词:
SiC薄膜
,
磁控溅射
,
摩擦系数
,
结合力
,
40Cr钢
宋曙光
,
沈鸿烈
,
李丹
,
蔡红
,
唐正霞
功能材料
采用射频磁控溅射技术和复合靶材方法制备了掺Mn,掺Co和Co、Mn共掺的SiC薄膜,经高温退火后进行了光致发光(PL)谱的测量,还用X射线衍射(XRD),傅立叶变换红外光谱(FTIR),扫描电镜(SEM)等表征手段分析了薄膜的相结构和表面形貌,并与光致发光的结果进行了对比研究.结果表明,掺Mn、Co使SiC晶格发生畸变,X射线衍射峰强度下降,Si-C吸收谱变宽,Si-C键振动减弱,Si-O基团的振动增强.样品在室温条件下均呈现出强的紫光发射特性,发光峰均位于414nm(3.0eV),认为414nm处的光致发光峰对应于光激发产生的电子从导带底到Si空位浅受主能级之间的辐射跃迁,其强度取决于Si空位的浓度.
关键词:
SiC薄膜
,
磁控溅射
,
掺杂
,
荧光性能
张琦
,
侯蓝田
,
李葵英
,
周桂耀
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2003.02.005
为了改进空芯传能光纤对10.6μm处CO2激光的传输性能,研制了具有SiC内膜的新型空芯玻璃波导,利用SEM和FTIR等技术分析了反应条件对SiC膜层结构、物相的影响,并测试了光纤的性能.结果表明:温度是影响SiC膜层的重要因素;制得的孔径为950 μm,长为2.5 m的SiC传能光纤理论损耗约为0.7 dB/m,实际传输损耗为0.74 dB/m;SiC的吸收蜂有蓝移现象.
关键词:
空芯玻璃波导
,
CO2激光
,
红外传能光纤
,
SiC薄膜
,
CVD
祝元坤
,
朱嘉琦
,
韩杰才
,
梁军
,
张元纯
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2009.04.014
采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜,研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化.结果表明,薄膜主要以非晶为主,由Si-C键,C-C键和少量Si的氧化物杂质组成;在真空条件下经高温退火后,薄膜C-C键的含量减少,而Si-C键的含量增加,真空退火有利于SiC的形成;在800℃空气中退火后,薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层,阻止了氧气与薄膜内部深层的接触,有效保护了内部的SiC.在空气条件下,SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.
关键词:
无机非金属材料
,
磁控溅射
,
热稳定性
,
高温退火
,
SiC薄膜
柴常春
,
杨银堂
,
李跃进
,
贾护军
功能材料
用等离子体刻蚀(PE)工艺,以四氟化碳(CF4)和六氟化硫(SF6)以及它们与氧气(O2)的混合气体作为刻蚀气体分别对Si基外延生长的β-SiC单晶薄膜进行了刻蚀工艺研究.结果表明在同样刻蚀工艺条件下,以SF6+O2作为刻蚀气体要比以CF4+O2作为刻蚀气体具有更高的刻蚀速率;在任何气体混合比条件下经SF6+O2刻蚀后的样品表面都不会产生富碳(C)表面的残余SiC层;而经CF4+O2刻蚀后的样品表面是否产生富C表面残余SiC层则与气体混合比条件有关,但刻蚀后的样品表面更为细腻.文中还对不同刻蚀气体下的刻蚀产物进行了讨论比较.
关键词:
SiC薄膜
,
等离子体刻蚀(PE)
,
刻蚀气体
