李婧
,
张金中
,
谢振宇
,
阎长江
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132804.0547
利用等离子化学气相沉积法连续制备SiNx∶H和a-Si∶H薄膜.通过电学、光学、力学测试研究了SiNx∶H薄膜沉积条件对其界面性能的影响.研究结果表明,过度的富硅化将显著增大体系的界面态,严重影响器件的TFT特性.当SiH4和NH3气体流量比值为7∶15时,开关比(Ion/Ioff)可达3.24×10 7.适当增加功率同样可以提高Ion,但高于31.5 W/cm2后,只会严重地增大薄膜的应力.优化SiNx∶H的沉积参数,开关比可以提高5.5倍.
关键词:
SiNx∶H界面态
,
Si/N
,
开关比
,
TFT特性
