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SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究

许小红 , 段静芳 , 王芳 , 武海顺 , 李震 , 李佐宜

稀有金属材料与工程

在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.

关键词: SmCo/Cr薄膜 , 矫顽力 , Cr底层 , 溅射参数

溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

段静芳 , 许小红 , 武海顺 , 李佐宜

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012

采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50~70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.

关键词: 铬底层 , 晶面取向 , 溅射参数 , SmCo/Cr薄膜 , 矫顽力

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