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炉渣中SnS的挥发速率

华一新 , 刘纯鹏

金属学报

在中性气氛及1473K的温度下,通过测定试样的失重及其组成,研究了SnS从SnO—FeO—SiO_2和SnO—FeO—CaO-SiO_2两种炉渣(混以FeS)中挥发的速率。研究表明,在硫化烟化过程中,SnO的挥发与SnS相比可以忽略不计,在炉渣中增加CaO可以加快SnS的挥发速率,挥发的微分速率方程可以表示为: -d(%Sn)/dt=k(%Sn)(%S)其中表观速率常数k分别为4.20×10~(-3)(SnO-FeO-CaO-SiO_2)和2.88×10~(-3)(SnO-FeO-SiO_2)

关键词: SnS , slag , evaporation rate , fuming

竹叶状多孔SnS薄膜的沉积

雷天民 , 胡永红 , 李红生 , 李留臣 , 封先锋 , 刘守智

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.022

以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征.XRD分析结果表明样品为斜方晶体结构的多晶SnS薄膜.SEM观察结果显示薄膜表面呈竹叶状多孔形貌,此结构有利于增加太阳电池的光吸收.

关键词: 多孔 , SnS , 薄膜 , 化学浴 , 太阳电池

沉淀法制备SnS纳米粉体

吴敏 , 卢建树 , 姚远

材料科学与工程学报

本文以SnCl2·2H2O为原料,Na2S·9H2O、TAA为沉淀剂,采用直接沉淀法和均匀沉淀法制备SnS纳米粉体.对所得样品用XRD、EDS、SEM分析手段进行了表征,初步探讨了热处理对粉体结构性能的影响,并对两种制备方法作了简要的比较.结果表明两种方法得到的样品均为斜方晶体结构的多晶SnS粉体;采用直接沉淀法合成的粉体平均粒径为20nm,且粒度分布十分均匀;采用均匀沉淀法合成的粉体平均粒径为40nm,粉体中的S和Sn原子更接近化学计量比1:1,品质更好.

关键词: SnS , 纳米粉体 , 直接沉淀法 , 均匀沉淀法

EVAPORATION RATE OF SnS FROM SLAGS

HUA Yixin LIU Chunpeng Kunming Institute of Technology , Kunming , China

金属学报(英文版)

Under inert atmospheres and 1473 K,the evaporation rate of SnS from SnO-FeO- SiO_2 and SnO-FeO-CaO-SiO_2 slags mixed with FeS was investigated by measuring the weight Ioss and composition of samples.The experimental results show that dur- ing sulfide fuming process the evaporation of SnOfrom slags is negligible in comparison with that of SnS.Addition of CaOto slags can enhance the evaporation rate of SnS.The differential rate equation of evaporation may be expressed as: -d(%Sn)/dt=k(%Sn)(%S) where,the apparent rate constant k was found to be 4.20×10~(-3) for SnO-FeO-CaO- SiO_2 system and 2.88×10~(-3) for SnO-FeO-SiO_2 system,respectively.

关键词: SnS , null , null , null

SnS片状纳米晶的制备及其表征

崔蕾 , 简基康 , 郑毓峰 , 孙言飞 , 蒋莉 , 张保花

人工晶体学报

用水热法制备了SnS片状纳米晶.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线能谱(EDS)等方法对所制备的样品SnS粉晶的结构形貌及组分进行了表征.研究了影响合成SnS片状纳米晶的几个因素,讨论了片状纳米晶生长过程与(040)晶面择优取向的关系,并分析了SnS片状纳米晶的合成机理.

关键词: SnS , 水热法 , 纳米晶

SnS掺杂对P3HT/PCBM体系太阳能电池光电特性的影响研究

陆冠宏 , 赵新洛 , 王焱 , 朱书影 , 孙静 , 谢晓峰

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150342

采用连续离子层吸附反应法(SILAR)在TiO2/FTO电极上沉积SnS,组装结构为FTO/TiO2/SnS/P3HT:PCBM/Ag的多层异质结太阳能电池,结果显示:SnS掺杂能显著提高P3HT/PCBM体系太阳能电池的光电转化性能.通过SEM观察、UV-Vis光谱、J-V曲线、Raman光谱以及射频辉光放电光谱仪(GD-OES)等手段,系统研究了不同前驱体液浓度制备的SnS对电池的影响,发现当n(Sn2+):n(S2-)为1:1.5时,电池的光电转化效率最高,达到0.369%,其开路电压、短路电流和填充因子分别达到0.373 V、1.92 mA/cm2和51.2%.另外,GD-OES谱图显示前驱体溶液中Sn2+/S2-比例对于SnSx层的化学组成及沉淀量具有重要影响,从而导致复合太阳能电池光电性能的显著变化.

关键词: 太阳能电池 , 连续离子层吸附反应 , 硫化亚锡 , 多层异质结

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