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Ru掺杂Sn基氧化物电极的第一性原理计算

刘雪华 , 邓芬勇 , 翁卫祥 , 王欣 , 林玮 , 唐电

中国有色金属学报

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和局域密度近似,研究Ru掺杂SnO 2形成的Sn 0.875 Ru 0.125 O 2复合氧化物电极的晶体结构和电子结构,比较掺杂前后体系的能带结构、电子态密度和载流子浓度。计算表明:Ru掺杂后SnO 2的晶胞体积缩小,复合氧化物电极的能带结构、电子态密度和载流子浓度均发生显著变化,导致材料的导电类型呈现近金属特性,揭示Ru掺杂后SnO 2导电性能显著增强的原因是导带底附近形成的杂质能级的贡献。

关键词: Sn基氧化物 , Ru掺杂 , 第一性原理计算 , 电子结构 , 导电性能

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