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非硅醇盐无机溶胶凝胶法合成蓝色发光材料Sr_2MgSi_2O_7:Eu~(2+),Dy~(3+)

王炳山 , 欧阳诚文 , 袁建军

材料科学与工程学报

以水玻璃(Na2SiO3)为硅源,柠檬酸三铵为PH值调节剂,通过离子交换,采用溶胶凝胶法低温合成Sr2MgSi2O7&Eu2+,Dy3+蓝色发光材料。采用DTA、XRD、荧光光谱等手段对材料进行分析和表征,结果表明:前驱体干凝胶煅烧到1010℃后开始有Sr2MgSi2O7相形成,到1100℃完全转变成高纯相Sr2MgSi2O7,其产物疏松,颗粒小,不需研磨或稍加研磨便得超细粉。它的激发光谱在250~450nm之间存在一个强度较高的激发带,发射峰位于467nm,余辉时间超8h。此外,对溶胶凝胶的形成机理等进行了讨论。

关键词: 水玻璃 , 溶胶凝胶 , 长余辉发光 , Sr2MgSi2O7 , 柠檬酸三铵

溶胶-凝胶法制备Eu掺杂Sr2 MgSi2O7光致发光性能

徐光青 , 刘家琴 , 郑治祥 , 吴玉程

材料热处理学报

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备稀土离子Eu掺杂的Sr2MgSi2O7硅酸盐基发光材料,通过X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、荧光分光光度计(PL)对样品的晶体结构、形貌及光学性能进行测试.XRD测试结果表明,在较低的处理温度下可获得Sr2MgSi2O7,但样品中也存在其它的杂质相.荧光光谱测试结果表明,经空气中处理的Eu3+在395 nm光激发下产生590 nm、610 nm的发射峰,通过氢气还原处理后得到的Eu2+离子的发光从250到400 nm的紫外区可以激发峰值为460 nm左右的宽谱带,且随氢气还原温度的升高和Eu离子掺杂浓度的提高发光强度也增强.

关键词: 溶胶-凝胶法 , Sr2MgSi2O7 , 光致发光 , Eu掺杂

无机溶胶凝胶法合成Sr_2MgSi_2O_7:Eu~(2+),Dy~(3+)蓝色发光材料

王炳山 , 袁建军 , 刘文茂

材料热处理学报

以价格低廉的水玻璃代替TEOS(正硅酸乙酯)作为硅源,分别在丁二酸铵、柠檬酸三铵辅助下,通过离子交换-溶胶凝胶法合成Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料。用DTA、XRD、荧光光谱等手段对材料进行分析和表征。结果表明:在丁二酸铵或柠檬酸三铵调节下,前驱体干凝胶煅烧到1100℃转变为高纯度的Sr2MgSi2O7相,其产物疏松,颗粒小,不需研磨或稍加研磨便得细粉;激发光谱在250~450 nm之间都存在一个强度较高的激发带,以柠檬酸三铵辅助得到的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+蓝色发光材料发光性能较好,发射峰位于467 nm附近,余辉时间长。此外对溶胶凝胶的形成机理等进行讨论。

关键词: 水玻璃 , 溶胶凝胶 , Sr2MgSi2O7 , 柠檬酸三铵 , 丁二酸铵

Sr2 MgSi2 O7:Eu2+,Dy3+发光纳米纤维的制备及表征

陈志 , 罗军 , 葛明桥

稀土 doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201505007

采用静电纺丝技术制备了非晶态PVP/[Sr(NO3)2+Mg(NO3)2+TEOS+Eu(NO3)3+Dy(NO3)3]复合纳米纤维,在还原气氛下对其进行煅烧,得到了一维纳米结构的Sr2MgSi2O7:Eu2,Dy3+发光纤维.对其热性能、物相结构、形貌结构及发光性能进行了表征.热分析表明,温度高于800℃时,复合纤维中的水分、有机物、硝酸盐分解挥发完全,样品不再失重;物相分析表明,经1100 ℃还原气氛焙烧后形成了发育良好的晶相Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+纳米纤维;形貌分析表明,Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+发光纳米纤维表面粗糙,平均直径约为350 nm,呈颗粒串珠结构;荧光光谱分析表明,在360 nm的近紫外光激发下,Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+纳米纤维发射出Eu2特征的明亮的蓝光,发射峰位于468 nm;余辉衰减曲线表明,Sr2 MgSi2O7:Eu2+,Dy3+纳米纤维在紫外光照射15 min后其初始余辉亮度达到0.32 cd/m2,肉眼可见.

关键词: 硅酸镁锶 , 发光纳米纤维 , 稀土 , PVP

Eu2+和Dy3+掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响

毛启楠 , 李鹤 , 季振国 , 席俊华 , 张峻 , 孔哲

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150624

采用高温固相法制备得到Sr2MgSi2O7∶ Eu2+和Sr2MgSi2O7∶ Eu2+,Dy3+发光粉,并详细研究了Eu2+和Dy3+的掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响.所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于Eu2+离子的4f65d→4f7电子能级跃迁.当Eu2+掺杂浓度超过淬灭浓度,其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短.同时,发射峰的峰位随Eu2+浓度的增加而发生红移,这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的,而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱.Dy3+离子会抑制荧光,但有助于延长余辉时间.当其掺杂浓度超过10mol%时,Eu2+\Dy3+离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭,从而使材料的长余辉寿命减少.

关键词: 硅酸镁锶 , 发光性能 , 掺杂 , 浓度淬灭

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