王忠太
,
顾豪爽
,
陈侃松
,
徐利
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.021
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备出均匀透明的SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜,根据透射谱计算表明薄膜样品厚度为349nm,线性折射率为3.05.以锁模Nd:YAG激光器作为光源,利用Z-scan技术测定了薄膜的非线性光学性能.结果表明薄膜的非线性折射率n2＝2.56×10-8esu,非线性光吸收系数β＝3.93×10-4 esu,其三阶非线性极化率的实部和虚部分别为:Reχ(3)＝8.29×10-9 esu和Imχ(3)＝1.08×10-9 esu.
关键词:
SrBi2Ta2O9
,
铁电薄膜
,
磁控溅射
,
Z-scan
,
三阶光学非线性
柯华
,
许雪芹
,
王文
,
贾德昌
,
周玉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.02.018
以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不同平均晶粒尺寸的纯SrBi2Ta2O9(SBT)纳米粉末,晶相粉末晶粒大小为4～70nm.用XRD、TG-DTA、TEM系统研究了SBT纳米相的形成过程.通过改变干凝胶的热处理温度和热处理时间,研究了温度与时间参数对SBT晶粒长大的影响规律.研究表明,碳的燃烧和二氧化碳的蒸发对纳米团簇的长大具有一定的阻碍作用.SBT相的晶化行为分为金属-氧团簇向玻璃态转变和玻璃态到晶态的转变过程,玻璃态到晶态的转变温度区间为500～550.C.两个过程的长大激活能分别为:Ea1=0.70geV,Ea2=0.093eV.温度是晶粒长大的主要因素,热处理时间对晶粒长大影响不明显.
关键词:
SrBi2Ta2O9
,
溶胶-凝胶
,
晶粒尺寸
,
晶粒长大
任明放
,
王华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.04.013
采用sol-gel 工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时, SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜,但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700°C退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700°C范围内,Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/P-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650°C后漏电流密度明显增大,经650°C退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值.
关键词:
退火温度
,
SrBi2Ta2O9
,
Bi4Ti3O12
,
异质结
季惠明
,
张颖
,
徐廷献
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.005
以可溶性无机盐为原料,通过溶胶-凝胶法在Al2O3基片上制备了SrBi2Ta2O9(SBT)铁电陶瓷薄膜. 实验结果表明,在前驱体溶胶制备中,络合剂的种类对溶胶的稳定性和SBT相薄膜的形成有重要影响. 在以EDTA和乙二醇为络合剂时,易形成均匀稳定的 溶胶和单一相的SBT薄膜. 在薄膜制备工艺中,Bi2O3的高温挥发性和薄膜的退火温度是控制制备过程的关键因素. 当Bi过量40%,且在700 ℃的温度下退火热处理,可以制备出符合化学计量比、结晶性较好、具有均匀晶粒尺度的SrBi2Ta2O9铁电陶瓷薄膜.
关键词:
溶胶-凝胶
,
薄膜
,
SrBi2Ta2O9
,
制备
