张柯
,
黄金亮
,
李丽华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.031
采用NaCl-KCl熔盐法合成了生长各向异性的片状SrBi4Ti4O15粉体,用XRD分析了粉体相的结构,用SEM观察了粉体的微观形貌,讨论了不同预烧温度对合成物结构和微观形貌的影响.与固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点.在850～1050℃之间,合成粉体的片状结构趋于明显,粉体生长各向异性随温度的升高呈现出先增加后减小的趋势,各向异性明显的SrBi4Ti4O15粉体的最佳合成温度为900～1000℃.
关键词:
熔盐法
,
SrBi4Ti4O15
,
择优生长
,
片状结构
黄平
,
徐廷献
稀有金属材料与工程
采用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)/Ag铁电复合材料,通过X射线衍射、光学金相显微镜和扫描电子显微镜对材料的组成和微观结构进行了研究,并测量样品的介电温度谱.结果表明:复合材料是由SBTi和Ag两相组成.微量金属Ag的加入使SBTi铁电陶瓷的烧结温度从1 120℃降低到950℃以下;可以适当提高铁电陶瓷从室温到200℃的介电常数,但对材料的介电损耗影响很小.同时Ag的加入压抑了介电温度曲线上的介电常数的Curie峰.
关键词:
铁电陶瓷
,
SrBi4Ti4O15
,
银
,
复合材料
赵成
,
朱骏
,
陈小兵
功能材料
采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.00～1.00、0.00～0.06的La、V掺杂SrBi4Ti4O15铁电陶瓷.X射线衍射结果显示,La、V对SrBi4Ti4O15的A、B位掺杂都未影响材料的晶体结构.A、B位掺杂均改善了材料的铁电性能.La掺杂量为0.25时,SBTi的剩余极化(2Pr)增大50%,同时矫顽场(2Ec)下降了25%.少量的V取代SBTi的B位Ti离子后,2Ec虽无明显变化,但2Pr却可增大近两倍,并且不影响材料的居里温度,而A位掺杂导致了材料的居里温度的明显下降.这与A、B位掺杂对材料晶格畸变程度的影响有关.
关键词:
SrBi4Ti4O15
,
掺杂
,
铁电性能
,
居里温度
黄平
,
崔彩娥
,
徐廷献
稀有金属材料与工程
利用固相烧结工艺制备了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷,研究了过量Bi2O3对SBTi陶瓷烧结特性的影响,结果表明:在1150℃以下烧结的Bi不过量的样品完全由SBTi相组成,当烧结温度提高到1175℃时,样品中出现了微量焦绿石结构(Sr,Bi)2Ti2O7相,当烧结温度提高到1200℃,样品中出现了(Sr,Bi)2Ti2O7和Sr2Bi4TisO18相.随着烧结温度的提高,SBTi陶瓷材料的晶粒逐渐长大,但晶粒沿a(6)-轴方向生长迅速,而沿c-轴方向晶粒的生长十分缓慢,导致材料c-轴取向度明显增强.过量Bi2O3的加入可在降低烧结温度的同时提高材料的密度,可补偿高温烧结过程中Bi的挥发,抑制焦绿石相(sr,Bi)2Ti2O7的生成及插入型层错的产生.在相同的烧结温度下,随着过量的Bi2O3量的增加,材料的c-轴取向度逐渐增大.
关键词:
SrBi4Ti4O15
,
铁电陶瓷
,
烧结行为
郝华
,
刘韩星
,
曹明贺
,
欧阳世翕
功能材料
通过对La不同掺杂比例SBT的XRD、拉曼光谱测试表明La掺杂对铋层状结构材料SBT的结构没有破坏.随掺杂量增加La取代不同位置,SBT拉曼光谱中270cm-1峰和550cm-1峰先宽化然后逐渐锐化,314cm-1肩峰锐化,870cm-1峰没有太大的变化.La掺杂进入类钙钛矿层对邻近TiO6八面体振动影响更大.
关键词:
SrBi4Ti4O15
,
掺杂
,
铋层状结构材料
