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溅射功率对直流磁控溅射法沉积TGZO薄膜性能的影响

史晓菲 , 郭美霞 , 刘汉法 , 王新峰

人工晶体学报

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的钛镓共掺杂氧化锌(TGZO)透明导电薄膜.研究了溅射功率对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明:溅射功率对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响.X射线衍射分析表明,TGZO 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在溅射功率为120 W时,实验获得的TGZO薄膜的方块电阻为2.71 Ω/□,此时电阻率具有最小值2.18×10-4 Ω·cm.实验制备的TGZO 薄膜在可见光区范围内平均透过率达到了90%以上.

关键词: TGZO薄膜 , 透明导电薄膜 , 溅射功率 , 磁控溅射

溅射压强对钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜性能的影响

史晓菲 , 郭美霞 , 刘汉法 , 高金霞

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112601.0054

利用直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出了透过率高、电阻率较低的钛镓共掺杂氧化锌透明导电薄膜(TGZO).研究了溅射压强对TGZO薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对TGZO薄膜的结构和电阻率有重要影响.X射线衍射(XRD)表明,TGZO薄膜为具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构多晶薄膜.薄膜的电阻率具有随着溅射压强的增大先减小,后增大的规律,在溅射压强虽为11 Pa时,实验获得的TGZO薄膜晶格畸变最小,电阻率具有最小值1.48×10-4Ω·cm,透过率具有最大值94.3%.实验制备的TGZO薄膜附着性能良好,在400~760 nm波长范围内的平均透过率都高于90%.

关键词: TGZO薄膜 , 透明导电薄膜 , 溅射压强 , 磁控溅射

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