张玲艳
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秦明礼
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曲选辉
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陆艳杰
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张小勇
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00636
AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98(Ag28Cu)2Ti活性焊料, 在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示:在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域.焊接试样性能优良:气密性达到1.0×10-11Pa·m3/s,平均抗弯强度σb=78.55MPa,剪切强度στ=189.58MPa.
关键词:
Ti-Ag-Cu活性焊料
,
活性封接
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微观分析
,
封接性能
