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α-Ti3O5薄膜的制备及氧敏性能的研究

郑嘹赢 , 李国荣 , 徐廷献 , 殷庆瑞

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.028

α-TisO5是TiOx材料中相对较稳定的晶型,是一种潜在的氧敏材料.与传统的TiO2、ZrO2材料相比,具有阻温特性好的优点.本文通过H2还原TiO2来制备α-Ti3O5薄膜,研究了不同还原温度和保温时间对薄膜晶相组成的影响以及薄膜的导电性、电阻-温度稳定性和在氧化气氛中的晶格稳定性.同时对α-Ti3O5薄膜的氧敏性能进行了初步研究.

关键词: Ti3O5 , 薄膜 , 还原 , 氧敏

C和N元素掺杂Ti3O5的第一性原理研究

刘睿 , 尚家香

人工晶体学报

本文采用第一性原理计算方法与准谐德拜模型相结合研究了C、N取代掺杂O原子对β-Ti3O5和λ-Ti3O5的电子结构以及相变温度的影响规律.结果表明:C元素对两相的电学特性影响较大,掺杂后β-Ti3O5和λ-Ti3O5的带隙宽度分别增加至1.25 eV和1.5 eV;氮元素的掺杂使β-Ti3O5的带隙增大到0.5 eV,同时仍然保持λ-Ti3O5的金属性不变,加剧了相变前后两相的电学差异,N掺杂使Ti3O5更适于应用在光学存储领域;同时对N掺杂Ti3O5的相变影响进行了研究,发现N掺杂可以有效降低相变温度.

关键词: Ti3O5 , 电子结构 , 元素掺杂

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