公衍生
,
涂溶
,
後藤孝
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00391
采用激光化学气相沉积(LCVD)技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiN_x薄膜,重点研究了激光功率(P_L)、衬底预热温度(T_(pre))和沉积总压力(P_(tot))对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射(XRD)、俄歇能谱(AES)和场发射扫描电镜(FESEM)对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明:所得到的TiN_x薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiN_x薄膜的取向由(111)变为(200),薄膜的取向与其微观结构一致.TiN_x薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在P_L=100W时,达到最大值90μm/h(沉积面积为300mm~2),显著高于采用其它方法制备的TiN_x薄膜.
关键词:
TiN_x薄膜
,
快速生长
,
取向
,
激光化学气相沉积(LCVD)
