余龙
,
叶素芳
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.04.023
在沉淀所得ZnSnO3中掺杂TiO2凝胶,在烧结后的ZnSnO3中掺杂烧结后的纳米级的TiO2,在烧结后的ZnSnO3中掺杂商用TiO2,得到3种具有气敏性能的气敏材料试样.通过X衍射、FT-IR、TEM和SEM对其成分和结构进行表征和分析.并分别做成气敏元件,对其气敏性能进行测试.最终发现在沉淀所得ZnSnO3中掺杂TiO2凝胶所得气敏材料有最小的粒径,达到纳米级.气敏元件对体积分数为4 000×10-6的乙醇在250℃灵敏度达到35,相对C2H5OH,CO2,C2H2,H2,LPG,NH3等气体最好的选择性.
关键词:
气敏材料
,
气敏性能
,
TiO2掺杂
,
ZnSnO3
韩丽芳
,
王昊
,
徐守磊
,
陈玉辉
,
雷镇全
,
邓文
材料导报
测量了ZnO-TiO2和ZnO-CuO导电陶瓷的正电子寿命谱及其电阻率,研究了TiO2和CuO掺杂对ZnO陶瓷中电子密度和电阻率的影响.结果表明:在ZnO中加入少量的TiO2,随着ZnO陶瓷中TiO2含量的增加,样品中的自由电子密度升高,电阻率降低;在ZnO中加入少量的CuO,随着ZnO陶瓷中CuO含量的增加,样品中的自由电子密度降低,电阻率升高.
关键词:
ZnO导电陶瓷
,
TiO2掺杂
,
CuO掺杂
,
电子密度
,
电阻率
于晓华
,
荣菊
,
詹肇麟
,
王远
材料热处理学报
以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷.将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量.采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能.研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4 μm,掺杂纳米TiO2高达30.5 μm;当TiO2掺杂量为1.5％ mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 mA及为非线性系数为20.1.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
,
TiO2掺杂
,
压敏电压
,
非线性系数
,
漏电流
赵占中
,
谢银德
,
张冰
,
王宪
,
栗栋
,
暴安杰
硅酸盐通报
纳米TiO2在紫外光照射下具有良好的光催化活性,在环境污染物治理方面具有重要的应用前景.为提高TiO2对可见光的吸收,常常需要对TiO2进行掺杂改性以缩小其禁带宽度.本文综述了近些年来国内外在金属掺杂、非金属掺杂、金属-金属共掺杂、金属-非金属共掺杂、非金属-非金属共掺杂以及杂多酸盐掺杂改性TiO2光催化剂方面的最新进展,并对TiO2可见光光催化剂的研究进行了展望.
关键词:
TiO2掺杂
,
光催化剂
,
可见光
