孔德军
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王进春
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郭皓元
稀有金属材料与工程
以无水硼砂、FeV50和FeSi45为主要原料,通过TD和扩散处理在Cr12MoV基体表面制备了VC涂层.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和能谱分析(EDS)等手段对VC的组织结构和化学元素分布进行了表征.用能谱面扫描分析了VC涂层表面和界面化学元素分布,对其界面冶金结合机理进行了探讨.结果表明,VC涂层为C和V两元素组成的化合物,其中V原子浓度大约是C原子的2倍;VC涂层为单一的VC相,V元素电子结合能位于512.8 eV,C元素电子结合能位于282.2 eV;V、C和Fe等元素在涂层界面处发生了相互扩散,形成了界面扩散层,涂层-基体结合界面为冶金结合方式.
关键词:
VC涂层
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TD处理
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结合界面
