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稻草制备SiC晶须

李胜杰 , 刘国军 , 陈华 , 贾素秋

功能材料

以废弃的稻草为原料,在1300~1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须.研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理.结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好;SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h;碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须.晶须以竹节状居多,晶须直径为10~200nm之间,长径比>10.用Fe粉和H3 BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小.反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径.

关键词: 稻草 , 制备 , SiC晶须 , VLS机理

应用于SERS的针尖状硅纳米线的生长与形貌调制

黄剑 , 马大衍 , 徐可为

稀有金属材料与工程

半导体纳米线作为一种潜在的表面增强拉曼光谱(SERS)基底材料正受到广泛的关注.本文采用金作为催化剂,通过等离子体增强化学气相沉积系统,以气-液-固生长机制制备一种直径可控的针尖状硅纳米线.基于合金液滴控制硅纳米线形貌的事实,通过设计调节合金催化剂的尺寸,制备了针尖状硅纳米线.所制备硅纳米线形貌通过SEM清晰可见,为针尖状.TEM和XRD分析表明,硅纳米线为同轴结构,单晶硅核包覆非晶SiO2壳层.作为SERS活性基底,通过伽伐尼置换在纳米线表面沉积活性Ag颗粒,同等条件下对R6G的检测显示,针尖状硅纳米线基底其增强因子是柱状硅纳米线的十多倍.由此预测,这种针尖状的硅纳米线可应用于新型传感器、环境监测、生物医疗诊断等领域.此外,这种针尖硅纳米线的制备方法也可以用作制备其他的针尖状纳米线,例如同族的锗针尖纳米线等等.

关键词: 硅纳米线 , 针尖状 , SERS , VLS机理

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