范迪
,
雷浩
,
郭朝乾
,
宫骏
,
孙超
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.024
目的 研究调制周期对磁控溅射WB2/CrN多层膜结构及性能的影响.方法 通过双靶直流磁控溅射法,在硅片、石英玻璃片及不锈钢上,制备AlB2型WB2薄膜与CrN薄膜及其多层复合薄膜,采用X射线衍射及扫描电子显微镜对其相结构及形貌进行观察和分析,使用维氏显微硬度仪及划痕仪对多层膜的硬度及膜基结合力进行研究.结果 磁控溅射WB2/CrN多层薄膜呈现出柱状生长趋势,且层状结构明显,仅当调制周期大于317 nm时,多层膜中才出现WB2晶体的衍射峰.结论 多层膜中的WB2薄膜在本实验条件下的临界结晶厚度大于150 nm.随着调制周期的减小,CrN层生长取向发生由(200)晶面向多晶面的转变,WB2层生长取向由(101)晶面向(001)晶面转变.多层膜硬度随调制周期的减小大体呈下降趋势,在调制周期为317 nm时达到最大值.结合力变化趋势与硬度相反,CrN层及多层界面有助于复合薄膜膜基结合强度的提高.
关键词:
多层膜
,
调制周期
,
磁控溅射
,
硬度
,
结合力
,
WB2
汪月琴
,
严少平
,
戴振翔
低温物理学报
采用基于密度泛函微扰理论的第一性原理方法研究了过渡金属化合物ReB2和WB2的声子和电声耦合作用.结果表明,ReB2和WB2都存在弱的电声耦合,电声耦合常数分别为0.23和0.44.电声耦合作用主要来源于B原子振动声子关联模式的贡献.估算得到ReB2的超导温度大约在0～1.5 K,WB2的超导温度在0.8～10.7 K(取μ*=0.15～0时).研究结果表明ReB2和WB2是一类弱的电声耦合超导体,WB2的超导温度大于ReB2的超导温度.
关键词:
ReB2
,
WB2
,
第一性原理
,
电声耦合
,
超导体
曹晓舟
,
王超
,
薛向欣
,
杨合
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13411
采用两步法制备硼化钨陶瓷,首先将硼粉与钨粉按一定比例混合,在高温下合成硼化钨粉体,再以此为原料采用冷压和高温烧结制备硼化钨陶瓷.研究硼钨比例对合成粉体物相组成的影响,以及烧结温度对硼化钨陶瓷微观结构及力学性能的影响.研究结果表明:硼钨摩尔比为2.5时,可以得到纯度较高的WB2粉体.随着烧结温度的升高,WB2陶瓷的显气孔率减小,相对密度增加,材料的抗弯强度与显微硬度明显增大,当烧结温度达到1800℃时,WB2陶瓷的开口孔隙率为5.2％,相对密度86.0％,抗弯强度72MPa,显微硬度2088.5MPa.WB2陶瓷的断裂行为也从沿晶断裂转变为穿晶断裂模式.
关键词:
WB2
,
无压烧结
,
力学性能
