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WSi2的价电子结构及其性能研究

彭可 , 易茂中 , 冉丽萍

稀有金属材料与工程

根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,WSi2理论结合能为1859.5 kJ/mol,与实验值吻合.WSi2晶体中,沿＜331＞位向分布的W-Si键的键能最大,EA=33.397 kJ/mol,且有32个等同键数,是晶体熔化时必须破坏的主干键络,因而WSi2具有高熔点.WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使WSi2具有良好的导电性.WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.

关键词: WSi2 , 价电子 , 结合能 , 导电性 , 脆性

WSi2/MoSi2 复合粉末材料的机械合金化合成

张厚安 , 刘心宇

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.04.010

通过机械合金化和热处理工艺成功地制备了 MoSi2+50 %(摩尔分数x) WSi2 复合粉末材料,利用 X 射线衍射手段分析了相的形成过程,并从热力学和球磨能量角度比较了 MoSi2 和 WSi2 相生成的难易程度.球磨40 h 后在高于 1000℃热处理可获得(Mo,W)Si2合金;因 G0(MoSi2)＜G0(WSi2),WSi2 相较 MoSi2 难生成,其所需球磨能量分别为 120.240 kJ/g 和 30.060 kJ/g.

关键词: MoSi2 , WSi2 , 机械合金化 , 热处理

MoSi2和WSi2的价电子结构及性能分析

彭可 , 易茂中 , 冉丽萍

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.11.002

根据固体与分子经验电子理论,对M0Si2和WSi2的价电子结构进行了定量的分析,通过键距差方法计算了MoSi2和WSi2晶体中各键上的共价电子数.结果表明:在MoSi2和WSi2晶体中,沿<331>位向分布的Mo-Si和W-Si原子键最强,这些键上的共价电子数和键能分别影响化合物的硬度和熔点.晶体中晶格电子数影响其导电性和塑性,MoSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,因此MoSi2的导电性和塑性比WSi2好.并从键络分布的不均匀性解释了MoSi2和WSi2脆性产生的原因.

关键词: MoSi2 , WSi2 , 价电子 , 硬度 , 导电率

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