陆峰
,
徐成海
,
闻立时
,
曹洪涛
,
裴志亮
,
孙超
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.07.002
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析.结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω*cm和9.73×10-4Ω*cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%.由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好.
关键词:
ZAO薄膜
,
衬底
,
直流磁控溅射
,
性能
,
XRD衍射分析
,
电阻率
,
透射率
陈小焱
,
王璟
,
丁雨田
功能材料
运用直流磁控溅射法,采用ZAO陶瓷靶材(Al2O3相对含量2％(质量分数)),结合正交实验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数,在普通玻璃衬底上制备得到ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计、四探针测试仪对样品的晶体结构、表面形貌、光电性能进行表征分析.通过正交分析法得出直流磁控溅射法制备ZAO薄膜的最佳组合工艺为基片温度200℃,溅射功率40W,氧流量百分比20％,退火温度400℃,获得薄膜样品最低方块电阻11Ω/(口),薄膜具有最好的发光性能,适合作为薄膜太阳电池的透明导电电极.
关键词:
ZAO薄膜
,
直流磁控溅射
,
正交实验
,
光电性能
陆峰
,
徐成海
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.06.011
采用直流反应磁控溅射技术,制备获得ZnO:Al( ZAO)薄膜,研究溅射功率、靶基距关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响,并获得了最佳的溅射功率、靶基距制备参数,利用该参数制备ZAO薄膜,能够获得在可见光范围内的平均透射率》80％,最低电阻率为4.5×10-4Ω·cm的ZAO薄膜,其光电性能均满足应用需求.
关键词:
ZAO薄膜
,
直流反应溅射
,
溅射功率
,
靶基距
殷胜东
,
马勇
,
靳铁良
材料导报
用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜样品.定义气流场强度等于总气流量除以总气压.结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大.在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω·cm,可见光透射率为90%.
关键词:
ZAO薄膜
,
直流反应磁控溅射
,
气流场强度
,
电导率
,
透射率
许积文
,
王华
,
任明放
,
成钧
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.05.028
基于Al2O3掺杂量为3wt%的氧化锌铝陶瓷靶材,采用直流无反应磁控溅射法在载玻片衬底上制备了ZnO:Al透明导电薄膜.研究了氩气压强对薄膜微观结构和光电性能的影响.结果表明:氩气压强对薄膜的平均透光率影响微小,其值均在86%以上,但对薄膜的微观结构和方块电阻有非常明显的影响.随着氩气压强的增大,薄膜的晶粒形状由片状向球状变化,并呈现出c轴择优生长特性.氩气压强在0.6～3.0 Pa范围内增长时,薄膜的方块电阻先缓慢减小,2.0Pa后急剧增大.在压强为1.5Pa时,薄膜具有最好的电学性能,其电阻率为1.4×10-3Ω·cm,方块电阻为10Ω/sq,优值为1.6Ω-1,符合评价标准.
关键词:
直流磁控溅射
,
ZAO薄膜
,
方块电阻
,
透光率
,
优值
汪冬梅
,
吕珺
,
徐光青
,
吴玉程
,
郑治祥
金属功能材料
采用射频磁控溅射技术制备了高度择优取向的Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,并对所制备的薄膜在纯氩气氛中进行了400℃、1h和2h的退火处理,将前者再于空气中相同温度下退火1h.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱仪和四探针测试仪等对退火前后薄膜进行了表征和光学、电学性能研究.研究表明,退火处理对ZAO薄膜的晶体、光学和电学性能有影响.原位沉积的薄膜电阻率为2.59Ω·cm,可见光区透过率约70%.400℃纯Ar气氛中退火1h后,ZAO薄膜的平均晶粒有所长大,薄膜内应力有所减小;薄膜可见光区平均透过率从70%提高到将近80%;薄膜的电阻率变化不明显,从2.59Ω·cm降低到1.37Ω·cm.400℃纯Ar气氛中退火2h后,薄膜的可见光区透过率和电阻率分别为75%和14.7Ω·cm.400℃纯氩气氛中退火1h再经过空气中退火1h后,薄膜的可见光区透过率和电阻率分别为80%左右和0.69Ω·cm.
关键词:
ZAO薄膜
,
退火处理
,
结晶性能
,
透光率
,
电阻率
付恩刚
,
庄大明
,
张弓
,
杨伟方
,
赵明
功能材料
工作气压在ZnO∶Al(ZAO)薄膜制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用中频交流磁控溅射方法, 采用氧化锌铝(ZnO与Al2O3的质量比为98∶2)陶瓷靶材, 在基体温度为250℃,工作气压范围为0.2～8.0Pa条件下,制备了ZAO薄膜.利用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构和形貌进行了分析和观察,利用分光光度计和霍尔测试仪测量了薄膜的光学和电学性能,研究了制备薄膜时不同的工作气压(氩气压力PAr)对薄膜的结构、形貌、光学性能和电学性能的影响.结果表明:随着工作气压的增加,薄膜的电阻率先略有下降然后上升,相应地,载流子浓度和迁移率先略有上升然后下降,而可见光谱平均透过率保持在80%以上. 当基体温度为250℃,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率最低,为4.6×10-4Ω*cm,方块电阻为32Ω时,在范围为490～600nm的可见光谱内的平均透过率可达90.0%.
关键词:
磁控溅射
,
ZAO薄膜
,
工作气压
,
电阻率
,
透过率
赵金博
,
吴莉莉
,
邹科
,
于伟燕
,
李高增
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法,以离子液体为辅助溶剂,在玻璃衬底上制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.通过X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)和霍尔效应等测试手段,分析了不同Al掺杂浓度ZAO薄膜的微观结构、光学和电学性能.结果表明,所制备的薄膜为非(002)取向的多晶膜.随着Al离子掺杂浓度的提高,薄膜的(002)晶面取向增强,晶粒逐渐由片状向球形转变,电阻率先降低后升高.进一步研究发现,在还原气氛NH3下退火可显著降低薄膜的电阻率,Al掺杂浓度为1 mol%时,薄膜电阻率达到4.7×10-2Ω·cm,可见光透过率平均在80%以上.
关键词:
透明导电薄膜
,
ZAO薄膜
,
离子液体
,
溶胶-凝胶
,
光电性能
