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衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

王何美 , 朱华 , 冯晓炜 , 况慧芸 , 王艳香

人工晶体学报

采用射频磁控溅射技术,改变玻璃衬底温度制备B掺杂ZnO薄膜,薄膜的微结构及其光电性能分别用X-射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针测试仪及粗糙度测试仪进行表征.结果表明:ZnO∶B薄膜样品表面平整,具有六角纤锌矿结构并呈C轴择优取向.所有薄膜样品在420 ~ 900 nm区间内的平均透光率大于91%.随着温度的增加,电阻率先减小后增大,但晶粒尺寸一直变大.衬底温度为100℃时电阻率可低至1.14×10-3Ω·cm,所有样品禁带宽度相对于本征ZnO蓝移.

关键词: ZnO∶B薄膜 , 磁控溅射 , 光电特性

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