柯磊
,
蒋冬梅
,
王春霞
,
马学鸣
功能材料
采用稀土掺杂和低温烧结的方法制备出高电位梯度的ZnO压敏电阻,并研究了Y2O3掺杂浓度对试样电位梯度和稳压性能的影响.结果表明,在800℃的烧结条件下,掺杂0.08%(摩尔分数)Y2O3后试样的电位梯度增加了49%,稳压系数达到1.99×10-2.从微观角度对ZnO压敏电阻烧结过程中的物化反应分析发现,较低的烧结温度能够抑制Y2O3的受主固溶和Bi2O3的挥发,减缓晶粒的生长速度,改善晶界质量,从而提高试样的电位梯度,实现高压稳压.
关键词:
ZnO压敏电阻
,
高压稳压
,
电位梯度
,
Y2O3掺杂
李宇翔
,
卢振亚
,
张兆生
稀有金属材料与工程
研究了Er_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.实验发现,在ZnO压敏电阻中加入Er_2O_3不仅可以提高压敏电压V1mA,同时还可改善非线性系数和漏电流特性.但过量的Er_2O_3将会使压敏电阻的耐大电流冲击特性劣化.微观结构和XRD图谱分析表明,Er_2O_3以一种化合物的形式存在于晶界,阻碍了晶界的运动,使材料烧结后具有较小的晶粒尺寸,并且粒径分布比较均匀.当Er_2O_3的添加量为0.8 mol%时,样品的压敏电压V1mA约为360 V/mm,非线性系数α达到86,并且在8/20 μs的耐大电流冲击能力的试验中,样品耐受冲击电流的峰值大于1.6 kA/cm~2.
关键词:
Er_2O_3掺杂
,
ZnO压敏电阻
,
高电位梯度
,
耐电流冲击特性
李磊
,
徐政
,
林枞
,
孙丹峰
,
彭虎
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.023
采用微波和传统烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,比较了微波和传统烧结ZnO压敏电阻的相组成、表面微观结构和电性能,探讨了烧结温度和保温时间对微波烧结样品的致密化和电性能的影响.与传统工艺相比,微波烧结工艺明显改善了ZnO压敏电阻的致密化行为,缩短了烧结周期,改善了电性能.优化的微波烧结样品的压敏电压U1mA为521.8V,非线性系数α是61.4,漏电流IL为1.25×10-6A,残压比Kr为1.45,通流量Im达11600A,均达到或超过了传统工艺水平.微波烧结样品的通流量Im更是比传统烧结样品高约50%.
关键词:
微波烧结
,
ZnO压敏电阻
,
微观结构
,
电性能
刘建科
,
陈永佳
,
于克锐
,
王浩
,
韩晨
,
崔永宏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.08.037
以95.5ZnO-0.5V2 O5-2.0Bi2 O3-0.5Mn3 O4-0.5Y2 O3-0.5Cr2 O3-0.5Co2 O3为配方制备压敏电阻,研究了烧结温度对该体系微观结构及电学性能的影响.研究表明,随着烧结温度升高,ZnO压敏电阻的击穿场强E1mA逐渐减小,非线性系数α、损耗角正切值tanδ以及相对介电常数εr均先增大再减小.当烧结温度为910℃时,压敏电阻的微观结构均匀,晶界清晰,有大量八面体的尖晶石相生成,且分布均匀.该烧结温度下所制备的压敏电阻的非线性系数α达到最大值27,击穿场强E1mA为3456.5 V/cm,工作频率105 Hz条件下该电阻的损耗角正切值tanδ为0.29.
关键词:
烧结温度
,
ZnO压敏电阻
,
微观结构
,
电学性能
,
损耗性能
王亮
,
樊东辉
,
林枞
,
徐政
,
孙丹峰
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.028
利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.
关键词:
ZnO压敏电阻
,
正电子寿命谱
,
简单捕获态模型
何金良
,
胡军
,
陈青恒
,
林元华
稀有金属材料与工程
发现在稀土氧化物添加量较少时,稀土氧化物主要在晶界偏析,并不形成尖晶石,通过增加晶界陷阱和表面态密度,阻碍氧化锌晶粒的生长,并且对氧化锌晶粒形状具有很好的稳定作用;当稀土氧化物添加量增加时,除了在晶界偏析稳定氧化锌晶粒形状作用外,还会生成新的尖晶石相,对抑制氧化锌晶粒生长、减小晶粒尺寸、提高电阻片电压梯度起到关键作用.
关键词:
ZnO压敏电阻
,
稀土氧化物
,
电压梯度
梁烛
,
代礼彬
,
张瑜
,
许发玲
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2012.03.021
采用不同烧结温度(1 000～1 120℃)制备ZnO压敏电阻瓷,通过扫描电镜分析显微结构,探讨烧结温度对ZnO压敏电阻瓷小电流性能的影响机理.结果表明:烧结温度在1 020℃、保温90 min时,ZnO压敏电阻瓷的性能较好,电位梯度达到408V/mm,漏电流为1.8 μA,非线性系数为37;烧结温度在1 000℃时,电位梯度可达475 V/mm.
关键词:
ZnO压敏电阻
,
低温烧结
,
电性能
代礼彬
,
梁烛
,
张瑜
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2012.04.021
通过使用高频等离子法制备纳米材料,研究纳米材料对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响.结果表明,烧结温度在1080～1120℃范围内可制备高性能的氧化锌压敏电阻陶瓷,其阀片的电位梯度达到429V/mm,漏电流为6μA,非线性系数为39,能量吸收密度为296J/cm3,性能远高于传统阀片.
关键词:
ZnO压敏电阻
,
纳米材料
,
电性能
