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脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜研究进展

董伟伟 , 陶汝华 , 方晓东

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.01.001

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能,在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景.首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容,然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基薄膜的若干重要研究方向,例如p型掺杂、p-n结的制备、Mg掺杂、Cd掺杂和磁性离子掺杂等.

关键词: 激光技术 , 半导体材料 , 脉冲激光沉积法 , ZnO基薄膜