宋词
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杭寅
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张昌龙
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徐军
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顾书林
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夏长泰
,
周卫宁
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仲维卓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.020
ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能.X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好.对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量.494nm附近的发光带可能与氧空位有关.520nm的发光可能与Na或者Si所形成的杂质能级跃迁有关.
关键词:
ZnO晶体
,
光致发光
,
晶体生长
,
半导体
韦志仁
,
王颖
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高琳洁
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刘清波
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马玲鸾
人工晶体学报
本文采用水热合成法,以3 mol/L KOH为矿化剂,填充度为35％,分别在ZnO中添加SnCl4·5H2O、CoCl2·6H2O、NiCl2 ·6H2O作为前驱物,温度430℃,反应24h,合成几种金属离子掺杂的ZnO晶体.采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对其形貌进行了表征.并与用同种方法合成的纯ZnO的光催化效率进行了对比.结果表明:金属离子掺杂的ZnO晶体和用同种方法合成的纯ZnO晶体对亚甲基蓝均具有光催化活性,其中Sn掺杂的ZnO晶体的光催化性能较好,并且经过10次循环实验后仍保持较高的催化效率.
关键词:
水热法
,
ZnO晶体
,
金属掺杂
,
光催化降解
,
循环
李新华
,
徐家跃
,
申慧
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00021
基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为, 发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术. 通过优化生长参数, 获得了尺寸为φ25mm×5mm的ZnO晶体. 该晶体具有纤锌矿结构, 晶格常数a=0.3252nm, b=0.5209nm. X射线定向确认其择优取向生长方向为[0001]. 实验结果表明, 助熔剂-坩埚下降法是ZnO晶体生长的一条新途径.
关键词:
ZnO晶体
,
crystal growth
,
flux bridgman technique
,
null
李新华
,
徐家跃
,
申慧
,
李效民
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.004
基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为,发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术.通过优化生长参数,获得了尺寸为φ25mm×5mm的ZnO晶体.该晶体具有纤锌矿结构,晶格常数a=0.3252nm,b=0.5209nm.X射线定向确认其择优取向生长方向为[0001].实验结果表明,助熔剂-坩埚下降法是ZnO晶体生长的一条新途径.
关键词:
ZnO晶体
,
晶体生长
,
助熔剂
,
坩埚下降法
巩锋
,
臧竞存
,
杨敏飞
材料导报
ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
关键词:
ZnO晶体
,
直接宽带隙材料
,
半导体材料
韦志仁
,
武明晓
,
郭树青
,
高平
,
尹利君
,
黄存新
,
张金平
,
张晓军
,
董国义
人工晶体学报
采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向.以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒.
关键词:
ZnO晶体
,
化学气相输运
,
摇摆曲线
韦志仁
,
李振军
,
高平
,
尹利君
,
黄存新
,
张利明
,
姚金宝
人工晶体学报
本文采用化学气相输运法在常压开放系统中以(0001)蓝宝石为基片制备出定向生长的ZnO晶体.以ZnO粉体为原料,NH4Cl为输运气体,O2和H2O为反应气体,加入适量的HCl作刻蚀性气体,通过调节NH4Cl输运量,获得两种不同生长方向的ZnO晶体,分别为(1010)方向和(0002)方向.(0002)方向上生长的晶体呈现六角片状,a、b轴生长速度明显高于c轴方向,晶体在基片上呈外延生长,大面积显露c面,且和蓝宝石c面平行.文中对O2、H2O、NH4Cl、HCl在晶体的生长中的作用和生长机制进行了讨论.
关键词:
ZnO晶体
,
气相输运
,
制备
马剑平
,
刘洋
,
藏源
人工晶体学报
以高纯氧化锌粉为升华源,采用物理气相传输法(PVT)法在1500℃下生长出了ZnO多晶体,生长速率达0.24 mm/h.样品XRD测试和拉曼分析表明,无籽晶自发成核生长的ZnO多晶体不仅具有六方纤锌矿结构,而且具有c轴方向择优生长特征.实验结果表明了PVT法可以进行大尺寸ZnO晶体的生长,并且可以达到0.2 mm/h以上的生长速率.
关键词:
ZnO晶体
,
物理气相传输
,
生长
