庞起
,
韩建鹏
,
梁春杰
,
周立亚
,
罗济文
功能材料
使用简单的水热法在锌片上生长ZnO纳米棒阵列,并用电化学共聚制备了ZnO纳米棒阵列与聚噻吩(Zn/ZnO/PTH)复合膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等手段对ZnO的结构和形貌进行表征,XRD结果表明产物为六方纤锌矿型ZnO.SEM结果表明,在垂直锌片方向生长了包括纳米棒、纳米片、纳米线的表面光滑的ZnO纳米阵列,其中以纳米棒为主,其直径为30～100nm,长度＞1μm.用光电流作用谱、光电流-电势图研究了Zn/ZnO/PTH电极的光电转换性质.结果表明,PTH修饰ZnO/Zn电极可使光电流产生波长发生明显红移,使其光电转换效率提高了4倍,填充因子FF=33%,光电转换效率η=1.25%.
关键词:
水热法
,
ZnO纳米棒阵列
,
Zn/ZnO/PTH复合膜
,
光电化学
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列. 通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测. 结果表明, 六棱柱形ZnO纳米棒沿 c 轴方向的阵列性良好, 且均匀致密的生长在衬底上. 室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列. 使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量, 研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响. 另外, 对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
hydrothermal
,
photoluminescence
,
X-ray absorption near-edgespectroscope
胡飞
,
胡跃辉
,
陈镜昌
材料导报
采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.
关键词:
电化学沉积
,
ZnO纳米棒阵列
,
ZnO纳米管阵列
,
机理
张美林
,
金峰
,
郑美玲
,
刘洁
,
段宣明
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2015.02.136
本文系统地比较了三种方式制备的ZnO纳米棒阵列的结构和性能的异同.根据水热法生长液中碱来源的不同,ZnO纳米棒阵列的生长方式分为三种:N方式(氨水)、H方式(六次甲基四胺)和NH方式(两次N方式和一次H方式).通过扫描电子显微镜,对这三种方式生长的ZnO纳米棒阵列形貌进行了表征.此外,利用X射线衍射仪、透射电子显微镜和激光拉曼光谱对ZnO的结晶性能进行比较.结果表明,ZnO纳米棒阵列的取向性N≈NH＞H,ZnO的晶体质量H＞NH＞N.NH方式综合N方式和H方式的优势,得到了取向性和晶体质量优良的ZnO纳米棒阵列.这将为在进一步应用中有效地选择ZnO纳米棒阵列的制备方式提供重要信息.
关键词:
ZnO
,
水热法
,
纳米棒
,
ZnO纳米棒阵列
王海锋
,
王树林
,
蹇敦亮
,
陈海燕
,
丁浩冉
功能材料
采用化学溶液沉积法,在ZnO纳米颗粒膜修饰的FTO导电玻璃基底上,制备了ZnO纳米棒阵列。用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、透射电子显微镜（TEM）对样品进行表征。研究结果表明所制备的ZnO纳米棒为六方纤锌矿相单晶结构,沿c轴择优取向生长,平均直径约为40nm,长度约为900nm;ZnO纳米棒阵列生长致密,取向性较一致。以曙红Y敏化的ZnO纳米棒阵列膜为光阳极制作了染料敏化太阳能电池原型器件,在光照强度为100mW/cm2下,其开路电压为0.418V,短路电流为0.889mA/cm2,总的光电转换效率为0.133%。
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
化学溶液沉积
,
曙红Y
,
染料敏化太阳能电池
王海锋
,
王树林
,
蹇敦亮
,
丁浩冉
,
陈海燕
材料导报
采用化学溶液沉积法,在经ZnO纳米粒子膜修饰的FTO导电玻璃基底上制备了ZnO纳米棒阵列,探讨了生长液浓度对ZnO纳米棒阵列形貌和光学性能的影响.利用XRD、FESEM、透射光谱和光致发光谱对样品的结构、形貌和光学性能进行了表征,结果表明,所制备的ZnO纳米棒为六方纤锌矿相.沿c轴择优取向生长;ZnO纳米棒阵列生长较为致密,取向性较一致,在可见光区具有很高的透光率,在378nm有很强的紫外发射峰;随着生长液浓度的降低,ZnO纳米棒阵列的缺陷可望大幅度下降.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
化学溶液沉积
,
生长液浓度
,
光致发光
孙宝
,
郝彦忠
,
郭奋
,
李英品
,
曹寅虎
功能材料
以聚乙二醇（PEG-400）为添加剂,采用恒电位方法直接在ITO导电玻璃上制备了ZnO纳米棒阵列膜,用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等分析手段对ZnO纳米棒阵列的形貌和结构进行了表征。结果表明所得ZnO纳米棒为六方纤锌矿型单晶结构,沿着垂直于基底的c轴极性生长,呈现出均匀的六方棒状形貌;在电沉积初期,PEG-400通过其大分子链的空间位阻作用及包覆作用对ZnO成核粒子的形貌和分散性产生显著影响,进而可以有效调整进一步生长所得ZnO纳米棒阵列的密度和垂直度,当PEG-400在电沉积液中的体积分数为2%时,可以得到取向良好垂直度高的纳米棒阵列;光电性能测试表明,ZnO纳米棒阵列膜电极的光电流随着阵列规整度提高而增大。
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
PEG-400
,
种子层
,
电化学沉积
,
光电性能
孙英岚
,
边继明
,
孙景昌
,
梁红伟
,
邹崇文
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.10636
使用低温水热法在Si衬底上生长ZnO纳米棒阵列.通过X射线衍射和扫描电子显微镜对ZnO纳米棒的结晶性和形貌进行观测.结果表明,六棱柱形ZnO纳米棒沿c轴方向的阵列性良好,且均匀致密的生长在衬底上.室温光致发光谱表明应用低温水热法可以得到光学性质良好的ZnO纳米棒阵列.使用同步辐射对ZnO纳米棒阵列的氧K带边进行X射线吸收近带边谱测量,研究了不同半径ZnO纳米棒阵列的局部电子结构及其半径对电子结构的影响.另外,对ZnO纳米棒及ZnO薄膜的局部电子结构进行了对比研究.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
水热法
,
光致发光谱
,
X射线吸收近带边谱
杨安丽
,
崔作林
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01092
以硝酸锌和六亚甲基四胺为主要原料, 采用简单、低温的水热法在预先用金红石二氧化钛薄膜修饰过的硅基体上生长了高取向性的ZnO纳米棒阵列. 运用扫描电子显微镜 (SEM), 透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对产物的结构和形貌进行了表征. 并且讨论了溶液?浓度对ZnO形貌的影响. 测试结果表明, 在0.025mol/L的Zn(NO3)2·6H2O和C6H12N4水溶液中70℃反应4h后的ZnO纳米棒的平均直?径为100nm,平均长度为1μm, 属于六方纤锌矿结构且沿c轴择优取向生长. 并且对制备出的ZnO纳米棒阵列薄膜进行了室温下的荧光测试, 发现 ZnO纳米棒阵列膜在389nm处具有很强的紫外发射峰, 在466nm处有一个比较弱的发射峰.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
TiO2 films
,
hydrothermal
曹培江
,
解振宇
,
韩舜
,
柳文军
,
贾芳
,
曾玉祥
,
朱德亮
,
吕有明
材料导报
采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响.研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米棒面密度减小.氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520 nm处的绿光峰增强.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
,
化学气相沉积
,
发光性能
