王欣
,
王发展
,
王哲
,
何银花
,
马姗
,
吴振
人工晶体学报
运用以密度泛函理论为基础的第一性原理计算方法,研究了N-M(In,Ga,Al)共掺(6,6)型闭口氧化锌(ZnO)单壁纳米管的结构稳定性和场致发射特性.结果表明:共掺可增强体系帽端的稳定性;外加电场越大,各体系的态密度(DOS)分布越低,能隙和有效功函数越小,电荷向帽端聚集.DOS,最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO),Mulliken电荷和有效功函数分析结果一致表明,N-In共掺体系的场发射性能最优.
关键词:
第一性原理
,
ZnO纳米管
,
场致发射
,
共掺杂
范东华
,
申冬玲
,
张榕
材料导报
通过简单的两步热蒸发方法成功地实现了ZnO纳米管和纳米棒的集成.SEM结果表明,大量的纳米线以层层生长的机理从约200℃低温Si基片表面生长出来.EDS和XRD结果进一步表明第一步所制备的样品主要是由大量Zn和少量Zn的氧化物组成.第二步所制备样品的SEM和TME图像证实了在高温下以第一步所制备的样品作为第二步的基片,可实现纳米管和纳米棒的集成.TEM图像表明,纳米管的表面所生长的纳米棒是单晶的.通过改变工作气压,可调控纳米管表面纳米棒的尺寸和形貌,实现ZnO纳米结构可控生长.室温光致发光谱表明,样品的光学性质可通过可控的形貌来调制.
关键词:
热蒸发
,
ZnO纳米管
,
ZnO纳米棒
,
光致发光
雷哲锋
,
王发展
,
王欣
,
陈霞
,
王博
人工晶体学报
采用热蒸发法制备得到掺Cd量为3.3at％的ZnO纳米管,室温光致发光谱(PL)显示,由于Cd的掺入,ZnCdO纳米管的紫外近带边发射( UV NBE)从纯ZnO的3.26eV红移到3.20 eV附近.应用基于密度泛函理论研究锯齿型(9,0)ZnMO(M =Cd,Mg)单壁纳米管的电子结构.分析发现Cd掺杂纳米管与薄膜相似,能隙随掺杂量增加逐渐减小,出现红移；而Mg掺杂纳米管则不同,能带变化没有规律性.
关键词:
ZnO纳米管
,
Cd掺杂
,
Mg掺杂
,
红移
雷哲锋
,
王发展
,
张立岗
,
王欣
,
陈霞
,
王博
,
尚志新
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的计算方法,系列的研究了锯齿型(9,0) ZnO单壁纳米管、Li,N分别掺杂以及Li-2N共掺杂的ZnO纳米管的能带结构、总体态密度、分波态密度.分析发现虽然Li原子单独掺杂不会对纳米管能带结构产生明显影响,但是Li-2N共掺杂比N单独掺杂ZnO纳米管的结构更加稳定,而且Li-2N共掺杂ZnO纳米管是p型简并半导体.
关键词:
ZnO纳米管
,
第一性原理
,
电子结构
,
Li-N共掺
雷哲锋
,
王发展
,
赵超
,
陈霞
,
王博
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论(Density functional theory)的计算方法,研究了n--4,6,9的锯齿型(n,0)ZnO单壁纳米管的电子结构,结果表明:锯齿型ZnO单壁纳米管是一种直接宽禁带半导体,其能隙随着横截面的增大而小量增大,并分析了锯齿型单壁纳米管的核外电子分布.
关键词:
ZnO纳米管
,
第一性原理
,
电子结构
