王丹红
,
赵小如
,
谢海燕
,
刘金铭
,
白晓军
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陈长乐
材料导报
采用溶胶-凝胶法在普通载玻片上制备出以ZnO为缓冲层、稀土Eu3+掺杂的TiO2薄膜,研究了ZnO缓冲层退火温度对TiO2∶Eu薄膜的光致发光性能以及晶体结构的影响.结果表明,随着ZnO层退火温度的升高,薄膜的PL谱增强,在500℃退火时达到最强；XRD显示,TiO2∶Eu3+/ZnO薄膜中有很强的ZnO(002)衍射峰,但是TiO2的(101)衍射峰却很微弱,且ZnO在500℃退火时TiO2的(101)衍射峰最弱.
关键词:
ZnO缓冲层
,
溶胶-凝胶法
,
光致发光
,
氧化钛
,
Eu掺杂
何建廷
,
宿元斌
,
杨淑连
,
卢恒炜
功能材料
用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜.直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛固中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响.
关键词:
ZnO缓冲层
,
GaN薄膜
,
退火
,
结晶
王如
,
杨瑞霞
,
张俊玲
,
徐永宽
功能材料
采用射频磁控溅射法制备出了适用于HVPE-GaN厚膜生长的ZnO缓冲层,利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)等分析方法表征了ZnO缓冲层以及HVPE-GaN厚膜的晶体性能.实验结果表明,采用溅射功率为60W、氩气压强为2.0Pa、蓝宝石衬底为室温条件下的溅射工艺获得了(0002)单一取向、晶界清晰、晶粒尺寸均一的ZnO薄膜,以它为缓冲层获得的GaN厚膜XRD的(0002)衍射峰半高宽(FWHM)为265secarc,室温PL谱未见明显黄光发射带.
关键词:
ZnO缓冲层
,
晶格失配
,
三维岛状生长
,
射频磁控溅射
王玉伟
,
刘平
,
李伟
,
刘新宽
,
马凤仓
,
陈小红
,
何代华
稀有金属材料与工程
研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响.综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa.在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93％,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求.
关键词:
衬底温度
,
溅射气压
,
ZnO缓冲层
,
微观结构
,
光学性能
马李刚
,
马书懿
,
陈海霞
,
黄新丽
功能材料
采用射频磁控溅射法在ZnO缓冲层上制备了不同Al掺杂量的ZnO（AZO）薄膜。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）等表征技术,研究了AZO薄膜的微观结构、表面形貌和发光特性。结果表明,随着Al掺杂量的增加,ZnO薄膜的择优取向性发生了改变,且当Al的掺杂量为0.81%（原子分数）时,（002）衍射峰与其它衍射峰强度的比值达到最大,表明适合的Al掺杂使ZnO薄膜的择优取向性得到了改善。在可见光范围内薄膜的平均透过率超过70%。通过对样品光致发光（PL）谱的研究,发现所有样品出现了3个发光峰,分别对应于以444nm（2.80eV）、483nm（2.57eV）为中心的蓝光发光峰和以521nm（2.38eV）为中心较弱的绿光峰。并对样品的发光机理进行了详细的探讨。
关键词:
磁控溅射法
,
ZnO缓冲层
,
Al掺杂ZnO薄膜
,
XRD
,
光致发光
王书运
,
庄惠照
,
高海永
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.04.025
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中不同温度下通氨气进行氨化反应生长GaN薄膜.分析结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN薄膜向棒状和线状形态转变.同时分析了ZnO缓冲层对形成GaN纳米结构的影响.
关键词:
射频磁控溅射
,
GaN薄膜
,
ZnO缓冲层
,
氨化反应
