刘翠霞
,
坚增运
,
朱满
材料导报
采用化学气相输运法,以单质Zn和Se为原料生长ZnSe晶体.比较了加碘(Zn-Se-I2)和未加碘(Zn-Se)两种情况下产物的特征,借助XRD和SEM检测仪器对所生长的ZnSe晶体的结构、形貌和成分进行了分析.结果表明,加入碘后生长的ZnSe晶体为橙黄色,具有较好的结晶性能,晶格常数为5.668nm,Zn与Se的化学成分比为1∶1,没有其它杂质峰;未加碘的产物为多孔状陶瓷,说明加碘可以明显提高ZnSe的结晶性能,解决了一致升华范围较窄的限制条件,避免了ZnSe生长动力学的限制,因此可以获得理想化学计量比的ZnSe晶体.
关键词:
ZnSe晶体
,
化学气相输运法
,
晶体结构
,
形貌
刘翠霞
,
坚增运
,
罗贤
,
王宇鹏
稀有金属材料与工程
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体.比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分.结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4 mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668 nm.测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1∶0.99,且只有1个衍射峰(2θ=27.2°),其晶面指数为(111).SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔.在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07％～62.61％.其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低.
关键词:
ZnSe晶体
,
化学气相输运法
,
碘输运剂
李焕勇
,
介万奇
材料导报
简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质量大尺寸ZnSe单晶十分重要.分析了不同方法的工艺与相应ZnSe单晶研究现状及发展趋势.
关键词:
基本理化性质
,
体单晶生长技术
,
ZnSe晶体
