李忠贤
,
李蓉萍
,
吴蓉
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2011.01.011
利用真空蒸发的方法制备ZnTe多晶薄膜,并采用双源法对薄膜进行了稀土元素Dy的掺杂.用XRD、紫外可见分光光度仪对薄膜的性质进行了表征.结果表明,当原子配比Zn:Te=1:0.7,热处理温度T=500℃时,可制备较理想的ZnTe多晶薄膜.稀土Dy掺杂并未改变样品的物相结构,但使薄膜光吸收增大而光学带隙减小.
关键词:
ZnTe薄膜
,
光学特性
,
真空蒸发
,
稀土掺杂
邹凯
,
李蓉萍
,
刘永生
,
田磊
,
冯松
材料工程
doi:10.11868/j.issn.1001-4381.2015.03.007
采用真空蒸发工艺在玻璃衬底上制备了ZnTe和掺Sb-ZnTe多晶薄膜,并在氮气气氛中对薄膜进行热处理.分别利用XRD、SEM、紫外-可见分光光度计、霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、元素组成以及光学、电学性能进行表征,研究Sb掺杂量和热处理对薄膜性能的影响.结果表明:未掺杂薄膜为沿(111)晶面择优生长的立方相闪锌矿结构,导电类型为P型.Sb掺杂并未改变ZnTe薄膜晶体结构和导电类型,但衍射峰强度降低;Sb含量直接影响着Sb在ZnTe中的存在形式,掺Sb后抑制了薄膜中Te和Zn的结合,使薄膜中Te的含量增加;室温下薄膜的光学透过率和光学带隙取决于掺Sb浓度和退火温度,并且掺Sb后ZnTe薄膜的载流子浓度显著增加,导电能力明显增强.
关键词:
ZnTe薄膜
,
Sb掺杂
,
真空蒸发
,
光学性能
,
电学性能
