周健华
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周圣明
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邹军
,
黄涛华
,
徐军
,
谢自力
,
韩平
,
张荣
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.022
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.
关键词:
r面蓝宝石
,
γ-LiAlO2
,
a面GaN
,
m面GaN
