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Ba1-xSrxTiO3陶瓷电畴的压电响应力显微研究

何建平 , 吕文中 , 汪小红 , 王雨 , 胡永明

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00683

采用常规固相反应法制备了Ba1-xSrxTiO3(x=0.7, 0.4, 0.1)陶瓷, 利用扫描力显微镜的压电响应模式得到了压电响应像, 并观察到了外加直流电压时的电畴诱导和极化反转. 在10V电压下(样品厚90μm, 下同), 室温时顺电体Ba0.6Sr0.4TiO3中诱导出了铁电畴, 而顺电体Ba0.3Sr0.7TiO3中并未诱导出铁电畴. 12V和–12V电压下, Ba0.9Sr0.1TiO3中的电畴发生了明显的极化反转. 对x=0.4、0.1的样品使用透射电子显微镜进行观察, 发现室温下前者无电畴, 进一步验证了压电响应图像的结果; 后者有电畴, 且为鱼刺状的畴结构. 同时对顺电相Ba1-xSrxTiO3材料中非线性介电特性的起源进行了探讨.

关键词: 钛酸锶钡 , piezoresponse force microscopy , domain , polarization switching

2-2型BST基复合薄膜的制备及其介电性能研究

任超 , 刘军 , 李永泉 , 骆英 , 张娟 , 吴伟骏

硅酸盐通报

以钛酸锶钡(BST)超薄片为基体材料,添加聚偏氟乙烯(PVDF)聚合物,制备出具有较高柔性的2-2型陶瓷基复合薄膜.结果表明不同PVDF/NMP比值的复合薄膜的介电常数在所测频率范围内(100 Hz ~ 10 MHz)均呈现出先下降,然后趋于平稳,最后再慢慢下降的趋势.不同PVDF/NMP比值薄膜的介质损耗在该频率段内均呈现出先下降后上升的趋势.当PVDF∶ NMP为1∶8时,复合薄膜的综合性能达到最佳,在100 Hz时,薄膜介电常数为60,介质损耗为0.14.

关键词: BST超薄片 , PVDF , 介电常数 , 介质损耗

化学共沉淀工艺制备钛酸锶钡纳米粉体

李明利 , 杜丕一 , 纪松 , 钱坤明 , 倪杨

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.01.004

以硝酸钡、硝酸锶、草酸和钛酸丁酯为原料,采用草酸盐共沉淀法制备草酸氧钛锶钡(BSTO,Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO(C_2O_4)_2·4H_2O)前躯体粉体,将该前躯体800℃煅烧4 h得到钛酸锶钡(BST,Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3)纳米粉体.用差热分析仪研究BSTO的热分解过程,用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)研究钛酸锶钡粉体的相组成和微观形貌.结果表明:BSTO前驱体的热分解过程可以分为失去结晶水、草酸氧钛跟(TiO(C_2O_4)_2~(2-))分解和BST结晶化3个阶段;所制备的钛酸锶钡粉体为高纯立方晶相,粉体呈类球状,平均粒径约为100 nm.

关键词: 钛酸锶钡 , 化学共沉淀 , 纳米粉体 , 热分解

退火工艺对钛酸锶钡铁电多层膜结构与物性的影响

魏坤 , 张续辰 , 洪学鹍

膜科学与技术

立足于无铅型钛酸锶钡(BST)铁电多层膜的制备及物性研究.采用溶胶-凝胶方法制备了Ba0.9Sr0.1 TiO3铁电多层膜,并利用快速退火炉对多层膜进行热处理.重点分析两种不同热处理工艺对钛酸锶钡多层膜微观结构及相关物理性能的影响.通过X射线衍射(XRD),扫描隧道显微镜(SEM)及可见光范围反射谱测量等的表征方法,研究钛酸锶钡铁电多层膜微观结构的演化和形成机理,为制备性能优良的钛酸锶钡铁电多层膜提供基础数据.

关键词: 钛酸锶钡 , 铁电多层膜 , 溶胶凝胶方法 , 退火工艺

氟化钙掺杂对钛酸锶钡陶瓷结构和介电性能的影响

刘珊珊 , 赵玉珍 , 王希林 , 周和平

稀有金属

研究了CaF2掺杂对钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3,BSTO)陶瓷的结构和介电性能的影响.采用传统烧结工艺制备了CaF2掺杂的BSTO陶瓷,对其晶体结构、微观形貌和介电性能进行了研究.XRD结果显示,CaF2掺杂BSTO陶瓷为钙钛矿结构,当掺杂量≥3%(质量分数)时,基体中出现第二相BaCaTiO4.添加少量CaF2(0.5%)可明显减小晶粒尺寸,随掺杂量继续增加,晶粒尺寸变化不明显.CaF2掺杂降低了BSTO陶瓷的介电常数和介电可调性,减小了其介电损耗,提高了材料的综合使用性能.

关键词: 钛酸锶钡 , 介电常数 , 介电可调性 , CaF2掺杂

钛酸锶钡/硅纳米孔柱阵列复合薄膜的制备及电学性能

肖顺华 , 王任衡 , 宝音

功能材料

采用溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡薄膜(Ba0.7Sr0.3TiO3,BST)/硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)复合薄膜,扫描电镜显示BST均匀地覆盖在Si-NPA衬底的柱状表面,X射线衍射研究表明BST在600℃及以上退火温度下可形成钙钛矿相结构。剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)随着温度的升高而增大,在800℃退火温度下分别对应于4.57μC/cm2和7.61kV/mm。机理研究表明,肖特基发射和空间电荷限制电流两种机理共同作用于该薄膜材料的漏电流形成过程。

关键词: 钛酸锶钡 , 硅纳米孔柱阵列 , 复合薄膜 , 电学性能

热处理对钛酸锶钡薄膜光学性能的影响

赵丽丽 , 翟春雪 , 朱红丹 , 廖付友 , 刘艳秋

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.006

采用无水溶胶-凝胶技术制备了钛酸锶钡光学薄膜,研究了预处理温度对钛酸锶钡薄膜表面形貌的影响,系统分析了退火温度对钛酸锶钡薄膜的相结构、微观形貌和光学性能的影响.结果表明,膜的物相、结构和形貌均对其光学性能起决定作用,制备致密、均匀的晶态薄膜是使钛酸锶钡薄膜具有高的光学透过率、大的折射率和小的消光系数的关键.通过150℃预处理和850℃退火获得了晶化程度良好,表面形貌平整、致密的钛酸锶钡薄膜,该膜在350~1000nm的最大光透过率为80.72%,在600~1000nm的折射率稳定在约1.93,在400~1000nm范围消光系数稳定在约4×10-5.

关键词: 钛酸锶钡 , 薄膜 , 预处理 , 退火 , 光学性能

BST-BZN复相陶瓷的烧结行为和介电性能

李明利 , 杜丕一 , 纪松 , 钱坤明 , 倪杨

兵器材料科学与工程 doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.06.001

用草酸盐共沉淀工艺制备高反应活性Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)粉体,添加10%(质量分数)的Bi_2O_3·ZnNb_2O_6(BZN)为烧结助剂,采用传统陶瓷制备工艺制备BST-BZN复相陶瓷.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分别研究BST-BZN的微观形貌和晶相组成,并测试BST-BZN复相陶瓷的介电性能参数.结果表明,添加BZN使BST的烧结温度由1 350℃降低到1 050℃,BST晶粒粒径约为1 μm,烧结过程BZN与BST发生固溶反应,BST的XRD衍射峰向低角度偏移.BST-BZN具有良好的介电常数温度稳定性,但是由于少量Bi~(3+)对Ba~(2+)/Sr~(2+)的取代、晶粒的细化、晶界相比例增多等原因导致BST-BZN可调率降低,1 kV/mm的偏场作用下其可调率只有0.15%.

关键词: 钛酸锶钡 , 复相陶瓷 , 微观形貌 , 介电性能

氟化锂助烧钛酸锶钡的研究

刘珊珊 , 赵玉珍 , 王希林 , 周和平

稀有金属材料与工程

研究了氟化锂助烧剂对钛酸锶钡(Ba06Sr0.4TiO3,BSTO)陶瓷晶体结构、微观形貌和介电性能的影响.XRD图谱显示,添加氟化锂助烧剂时,钛酸锶钡晶体结构未发生明显变化.样品SEM照片显示添加氟化锂可以增加钛酸锶钡陶瓷晶粒尺寸,显著降低材料介电损耗,提高材料综合介电性能.添加5%(质量分数)氟化锂的钛酸锶钡陶瓷介电常数为3360,介电损耗可降至3.5×10-4,介电可调性为44%(150 kHz,1.6 kV·mm-1).

关键词: 钛酸锶钡 , 介电性能 , 氟化锂 , 助烧剂

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