张晓玲
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胡奈赛
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何家文
无机材料学报
采用 Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ、 Ｔ Ｅ Ｍ、 Ｓ Ｅ Ｍ 等技术， 对在渗硼层表面经ｒ.ｆ. Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 沉积的 Ｂ Ｎ 膜进行了研究试验证明， 与采用 Ｎ２ 气和 Ｈ２ 气相比， 以 Ａｒ ＋ １０ｖｏｌ％ Ｈ２ 作为载气， 所获得的膜层ｃ-Ｂ Ｎ 含量最高， 膜厚最大， 可达４.６μｍ ， 且膜基结合良好而以 Ｎ２ 气或 Ｈ２ 气为载气时， 前者会导致膜基结合力大大下降， 后者会引起沉积速度明显降低结果表明， 对于 Ｐ Ｃ Ｖ Ｄ 过程， 控制ｃ- Ｂ Ｎ 形成的主要因素是离子轰击能量的转移， 而不是氢的选择溅射过程试验获得的膜层由ａ- Ｂ Ｎ 和ｃ- Ｂ Ｎ 组成， ｃ- Ｂ Ｎ的尺寸为２０ ～４０ｎｍ
关键词:
c-BN膜
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