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阵列光纤组件端面的化学机械抛光试验研究

邹文兵 , 刘德福 , 胡庆 , 陈广林

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.04.024

目的：设计合理的抛光工艺方案,获得平整的阵列光纤组件端面。方法采用单因素实验法研究抛光工艺参数对阵列光纤表面粗糙度与光纤凸起量的影响,利用光学表面轮廓仪与扫描电镜进行分析与观察。结果在抛光液磨粒质量分数为2%,抛光液流量为15 mL/min,抛光压力为50 kPa,抛光盘转速为30 r/min的条件下,可以获得平整的阵列光纤组件端面。结论应用化学机械抛光技术加工阵列光纤组件,并设计合理工艺方案,可获得平整的阵列光纤组件端面,其表面粗糙度可低至42.6 nm,光纤凸起值可低至0.14μm。

关键词: 阵列光纤组件端面 , 化学机械抛光 , 表面粗糙度 , 光纤凸起量

铝栅化学机械抛光工艺

冯翠月 , 张文倩 , 刘玉岭

电镀与涂饰

探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂H2O2 1.0％(体积分数,下同),螯合剂FA/O Ⅱ 0.4％,非离子表面活性剂FA/O Ⅰ 2.0％,纳米硅溶胶磨料12％,pH 10.粗抛工艺参数为:抛光压力3.0 psi,转速50 r/min,抛光液流速250 mL/min,抛光时间240 s.精抛工艺参数为:抛光压力2.0 psi,转速45 r/min,抛光液流速150 mL/min,抛光时间240 s.粗抛时铝的去除速率为330 nm/min,精抛时铝的去除速率为210 nm/min.通过2种抛光工艺相结合,铝栅表面粗糙度可达13.26 nm.

关键词: 铝栅 , 化学机械抛光 , 配方 , 磨料 , 去除速率 , 表面粗糙度

铜膜化学机械抛光工艺优化

李炎 , 刘玉岭 , 李洪波 , 樊世燕 , 唐继英 , 闫辰奇 , 张金

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2014.07.009

对d为300 mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验,分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响.通过实验表明,当抛光压力为13.780kPa,抛光液流量为175 mL/min,抛光机转速为65 r/min,0.5％磨料,0.5％氧化剂,7％鳌合剂,铜膜去除速率为1 120 nm/min,片内速率非均匀性为0.059,抛光后铜膜表面粗糙度大幅度下降,表面状态得到显著改善.

关键词: 化学机械抛光 , 碱性抛光液 , 磨料 , 片内速率非均匀性 , 表面粗糙度 , 铜膜

锇在磷酸体系抛光液中化学机械抛光研究

储向峰 , 汤丽娟 , 董永平 , 乔红斌 , 朱小华

稀有金属材料与工程

(锇有可能作为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料.)利用自制的抛光液对金属锇片进行抛光,研究在双氧水-磷酸体系抛光液中H2O2浓度和抛光液pH值对抛光速率的影响.结果表明,当抛光液中主要成分仅为氧化剂H2O2时,并不能在金属锇表面达到好的腐蚀效果.在磷酸体系抛光液中,H2O2能够通过促进阴极反应的进行从而增强抛光液对金属锇的化学作用；低浓度H2O2通过增强抛光液对金属锇的化学腐蚀能力,从而增加了抛光速率值:较高浓度H2O2的加入对抛光速率值影响较小.H3PO4能够在抛光液中起到抑制剂、pH调节剂和络合剂的作用.当抛光液pH值为4.0时,金属锇表面生成的钝化膜最致密.当pH值为4.0或5.0时,金属锇表面生成的钝化膜OCP值大于金属锇的OCP值,且此条件下的抛光速率值较高.

关键词: 化学机械抛光 , 锇 , 磷酸 , 极化曲线 , 阻挡层材料

高密度碳酸稀土制备超细抛光粉的研究

周新木 , 王爱勤 , 李静 , 阮桑桑 , 李永绣

稀土 doi:10.16533/J.CNKI.15-1099/TF.201505004

以高浓度稀土料液为原料,高温下制备的稀土碳酸盐为高密度碱式碳酸稀土,然后以高密度碳酸稀土为原料,采用高温爆裂法制备超细稀土抛光粉.通过SEM、粒度测定、抛光测定对样品进行表征.研究了不同的煅烧模式、爆裂温度、老化时间和老化温度对稀土氧化物形貌、粒度和性能的影响.结果表明:高密度碱式碳酸稀土在900℃～950℃高温爆裂、900℃～1000℃老化3h～4h,得到粒径D50为290 nm左右,分散性、抛光效果较好的超细稀土抛光粉,并可实现超细稀土抛光粉工业化生产.

关键词: 化学机械抛光 , 高密度碳酸稀土 , 高温爆裂法 , 超细抛光粉

GaN基LED衬底材料化学机械抛光研究进展

熊伟 , 储向峰 , 白林山 , 董永平 , 叶明富

表面技术

概述了化学机械抛光作用机制,着重阐述了3种常见衬底(α-Al2O3,SiC,Si)的化学机械抛光现状,主要从抛光工艺参数和抛光液组成(不同磨料、磨料粒径、氧化剂、络合剂、pH值等)对晶片抛光效果的影响展开研究,并指出了目前化学机械抛光存在的问题,进一步展望了LED衬底化学机械抛光的发展前景.

关键词: 衬底材料 , 化学机械抛光 , 抛光工艺 , 抛光浆料

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/31/11/116005

关键词:

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/8/086001

关键词:

同质异构sSiO2/MSiO2核/壳复合磨粒的合成

陈杨 , 汪亚运 , 秦佳伟

材料研究学报

以正硅酸乙酯为硅源、以氨水为催化剂、十六烷基三甲基溴化铵为结构导向模板剂,在单分散实心氧化硅(Solid-SiO2,sSiO2)内核表面包覆介孔氧化硅(Mesoporous-SiO2,MSiO2)外壳,合成了同质异构氧化硅(sSiO2/MSiO2)核/壳复合磨粒.用小角XRD、FESEM、HRTEM、FTIR、TGA和氮气吸附-脱附等手段对样品的结构进行了表征.结果表明,具有放射状介孔孔道的MSiO2均匀连续包覆在sSiO2内核(210-230 nm)外表面,形成了厚度为70-80 nm的外壳.壳层中的介孔孔道(孔径约2-3 nm)基本垂直于内核表面,且复合磨粒样品具有较大的比表面积(558.2 m2/g).用AFM形貌分析和轮廓分析评价了所制备的复合磨粒对SiO2薄膜的抛光特性.与常规实心SiO2磨粒相比,sSiO2/MSiO2复合磨粒明显改善了抛光表面质量并提高了材料去除率.这可能归因于MSiO2壳层通过机械和/或化学方面的作用对磨粒与衬底之间真实界面接触环境的优化.

关键词: 无机非金属材料 , 介孔氧化硅 , 核壳结构 , 复合磨粒 , 化学机械平坦化

抛光液成分对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响

张金 , 刘玉岭 , 闫辰奇 , 张文霞

电镀与涂饰

在低工作压力(1 psi)和低磨料用量(纳米硅溶胶体积分数2.5％,后同)下,通过单因素实验探讨了碱性抛光液组分(包括氧化剂H2O2、FA/O型螯合剂和非离子型表面活性剂)含量对铝栅化学机械抛光过程中铝去除速率的影响,确定抛光液的组成为:氧化剂1.5％,螯合剂0.5％,表面活性剂1.0％.铝的去除速率为1 00 nm/min,抛光后的表面粗糙座为8.85 nm.

关键词: 铝栅 , 化学机械抛光 , 氧化剂 , 螯合剂 , 表面活性剂 , 去除速率