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Antibacterial Mechanism of Copper-bearing Antibacterial Stainless Steel against E.Coli

Li NAN

材料科学技术(英)

A preliminary study was made on the antibacterial mechanism of copper-bearing antibacterial stainless steels against E.coli through experiments of microbiology such as EDTA (ethylenediaminetetraacetic acid) complexing, DNA smearing and AFM (atomic force microscope) observation. It was measured that the antibacterial stainless steels showed excellent antibacterial functions with antibacterial rate to E.coli over 99.99%. The antibacterial rate was weak if the bacteria solution was complexed by EDTA, indicating that the copper ions play a dominant role in the antibacterial effect of the antibacterial stainless steels. The electrophoresis experiment did not show the phenomenon of DNA smearing for E.coli after contacting antibacterial stainless steels, which meant that DNA of E.coli was not obviously damaged. It was observed by AFM that the morphology of E.coli changed a lot after contacting antibacterial stainless steels, such as cell walls being seriously changed and lots of contents in the cells being leaked.

关键词: copper , stainless , steel , E.coli , antibacter

霉菌对裸铜和镀金处理的印制电路板腐蚀行为的影响

邹士文 , 李晓刚 , 董超芳 , 李慧艳 , 肖葵

金属学报 doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00033

采用扫描Kelvin探针测试技术研究了裸铜印制电路板(PCB--Cu)和无电镀镍金处理印制电路板(PCB-ENIG)在霉菌作用下的腐蚀行为, 通过体视学显微镜、扫描电镜和能谱分析对PCB的腐蚀和霉菌生长情况进行了观察和分析. 结果表明, 在湿热环境下霉菌在2种材料表面均能良好生长并且数量逐渐增加, 28 d完成一个生长代谢周期且分生孢子活性良好; 84 d后试样表面都出现了腐蚀产物, PCB--ENIG腐蚀更为严重. 霉菌的生长代谢作用在一定程度上能抑制PCB--Cu表面霉菌生长区域的腐蚀, 但是对PCB--ENIG的微孔腐蚀起促进作用.

关键词: 霉菌 , printed circuit board , scanning Kelvin probe , copper

噻二唑衍生物在3%NaHCO3溶液中对铜的缓蚀作用

朱丽琴

中国腐蚀与防护学报

用失重法和电化学方法研究了5-丙基-2-氨基-1,3,4-噻二唑 (APT)和5-异丙基-2-氨基-1,3,4-噻二唑(AIT)对Cu在3%NaHCO3溶液中的缓蚀性能和吸附行 为.结果表明,在3%NaHCO3溶液中两种化合物对Cu均有较好的缓蚀性能,并且前者的缓蚀性 能比后者的好. 两种化合物在Cu表面上的吸附过程为放热过程,其在Cu表面上的吸附行为服 从Langmuir吸附等温式,属化学吸附.

关键词: 3%碳酸氢钠 , thiodiazole , inhibitor , copper

铜在KCl溶液中电化学腐蚀过程的元胞自动机模拟研究

朱秀荣 , 朱永春 , 王琳 , 杨翠 , 张园园

腐蚀科学与防护技术

铜电极在KCl电解质溶液中的电化学腐蚀已有循环伏和红外光谱电化学研究, 然而, 腐蚀过程的动力学和机理还不十分清楚. 本文以SCILAB自由软件编程的元胞自动机方法模拟了该腐蚀过程的动力学, 与实验结果一致, 结合红外光谱、量子化学计算结果, 进一步在分子尺度上探讨铜在实验条件下的腐蚀过程的机理: 腐蚀动力学曲线在较短时间(<200 s)内符合Weibull规律, 较长时间(>200 s)遵循Hoerl关系.

关键词: 电化学腐蚀 , IR spectroelectrochemistry , quantum chemical , copper , cellular automata

磁场对铜在含三价铁离子硫酸溶液中的腐蚀行为的影响

吕战鹏 , 杨武 , 黄德伦

中国腐蚀与防护学报

采用电化学测量方法研究 了磁场对铜在含三价铁离子硫酸溶液中自腐蚀以及阴极极化行为的作用.磁场不影响该体系 的自腐蚀状态.磁场加速铜电极上三价铁离子的阴极扩散过程,随磁场强度增大,阴极极限 扩散电流密度增大;磁场强度恒定时,磁场对三价铁离子阴极扩散的作用系数随三价铁离子 浓度增加而增大;引起极限扩散电流密度明显增加的临界磁场强度随三价铁离子浓度增加而 减小.由于铜与铁在含有三价铁离子的水溶液中的热力学稳定性不同,不同的自腐蚀电位下 阴极反应的控制步骤类型不同而导致磁场作用不同.

关键词: , copper , cathodic reduction , diffusion pr ocess , magnetic field intensity

聚环氧琥珀酸及其复配物的缓蚀性能研究

张建 , 李国威 , 朱彦容 , 王桂良

腐蚀科学与防护技术

    用旋转挂片法研究了聚环氧琥珀酸与锌盐复配对碳钢缓蚀作用的协同效应;同时研究了聚环氧琥珀酸与苯并三氮唑的复配对黄铜的缓蚀协同效应.实验结果表明:聚环氧琥珀酸与Zn2+质量比为64时,协同增效作用最佳.以此比例在模拟水中,使用量为60 mg/L,缓蚀率达到97.57%.当聚环氧琥珀酸与苯并三氮唑复配时,在使用量聚环氧琥珀酸为20 mg/L,苯并三氮唑为1 mg/L时,缓蚀率达到82.14%,缓蚀协同效果也较好.

关键词: 聚环氧琥珀酸 , zinc ion , benzotriazole(BTA) , carbon steel , copper , syn`ergistic effect

水溶性取代吡啶甲酰腙席夫碱缓蚀剂对铜的缓蚀作用研究

王松梅 , 刘峥 , 陈世亮 , 王国瑞

腐蚀科学与防护技术

合成三种水溶性取代吡啶甲酰腙席夫碱缓蚀剂,采用静态失重法、电化学方法和扫描电镜研究其在3.5% NaCl介质中对铜的缓蚀作用. 结果表明, 三种缓蚀剂都是以抑制阴极为主的混合型缓蚀剂; 当温度在35℃、缓蚀剂质量浓度为75 mg/L时, 缓蚀效率最高, 在缓蚀过程中未发生分解. 三种缓蚀剂对铜在3.5% NaCl溶液中均具有较好的缓蚀效果.

关键词: 吡啶甲酰腙席夫碱 , inhibitor , copper , mass loss , electrochemical methods

铜合金在海洋飞溅区的腐蚀

黄桂桥

中国腐蚀与防护学报

研究了12种铜合金在青岛海域飞溅区暴露16年的腐蚀结果及其腐蚀行为和规律。铜合金在飞溅区的腐蚀率均较低。在飞溅区短期暴露,铜合金的腐蚀类型为均匀腐蚀,长期暴露的铜合金发生较轻的点蚀和缝隙腐蚀,黄铜有脱锌腐蚀倾6,白铜有脱镍腐蚀倾向。纯铜和青铜的腐蚀率随暴露时间增加而降低。HMn58-2和HSn62-1随暴露时间增加南而降低,长期暴露腐蚀率出现上升的趋势。HAl77-2和BFe10-1-1的腐蚀率随时间增加而略有增加。长期暴露的HAl77-2、BFe10-1-1和BFe30-1-1的耐蚀性比钝铜墙铁壁差。铜合金在飞溅区的腐蚀比全浸区、潮汐区轻,比海洋大气区重。

关键词: 腐蚀 , copper , marine , splash zone

采用丝束电极研究金属的缝隙腐蚀*

钟庆东

中国腐蚀与防护学报

采用丝束电极研究了铜在5%NaCl介质中的缝隙腐蚀行为。研究表明,铜发生缝隙腐蚀的过程中,缝隙内金属的腐蚀电位分布是不均匀的,不均匀的程度相差达数十毫伏。在缝隙腐蚀的初期,缝隙内金属腐蚀电位随着缝隙腐蚀的发生逐渐正移。随着缝隙腐蚀程度的加深,缝隙内金属的腐蚀电位发生负移,且逐渐均匀分布。这一过程与经典的金属缝隙腐蚀机理相吻合。

关键词: 缝隙腐蚀 , copper , wire beam electrode , electrochemical measurement

冲刷腐蚀纯铜中空位透射电镜研究

周浩

物理测试

对冲刷腐蚀纯铜试样进行氩离子减薄,利用透射电镜进行组织观察。结果表明,纯铜内存在大量的位错及空位盘。基体与Cu2O共格,在透射电镜下观察到大量的莫尔条纹。

关键词: 冲刷腐蚀 , copper , vacanc , moire patterns , TEM

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