吴奕初
,
常香荣
,
田中卓
,
肖纪美
金属学报
本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm~2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后,它将控制随后的形变和断裂过程
关键词:
氢损伤
,
critical current density
,
positron annihilation technique
,
hydrogen-induced defect
Qizhou YAO Yongzhong WANG Ming JIANG Jianguo HUANG Cheng ZHANG Guiwen QIAO Institute of Metal Research
,
Academia Sinica
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Shenyang
,
110015
,
China
材料科学技术（英文）
A promising method —“powder in tube”technique was used to fabricate Ag-sheathed Bi-2223 superconductive tapes with high critical current density.After a combination processing of pressing and subsequent heat treatment,we obtained tapes with high degree of texture,good compaction and uniform properties.At 77 K in zero field,J_C was higher than 1×10~4 A/cm~2 while the highest J_C was 1.69×10~4 A/cm~2.SEM and XRD was used to detect the tapes texture,and the relationship be- tween J_C and the degree of texture is discussed.In addition,the reason for obstacling the improvement of J_C is also investigated.
关键词:
high-T_C superconductors
,
null
,
null
,
null
WU Yichu CHANG Xiangrong TIAN Zhongzhuo XIAO Jimei University of Science and Technology Beijing
,
Beijing
,
China
金属学报(英文版)
Hydrogen damage in iron or 99.99% purity has been investigated by Doppler broadening measurement.Experimental results show that when the iron is charged with hydrogen in 0.5mol/L H_2SO_4 solution,the critical current density to cause hydrogen damage is 20mA/cm~2.While a little As_2O_3,saying 250mg/L,added to H_2SO_4 solution,even rather small current density.≤0.2mA/cm~2,would cause hydrogen damage.With the help ofi slow tensile test,it revealed that the hydrogen damage occurred in the specimen may be influential to the subsequent process of deformation and fracture.
关键词:
hydrogen damage
,
null
,
null
,
null
陈兴品
,
李明亚
,
刘庆
,
韩征和
稀有金属材料与工程
对Bi-2223/Ag多芯高温超导带材的交流磁化率的标度行为进行了探讨研究.测量了在外加磁场垂直于带材表面时,样品的交流磁化率与温度和磁场之间的关系.结果表明,外加交流磁场对实部和虚部的影响非常显著,交流磁化率的实部和虚部的转变宽度强烈依赖于外加磁场的大小.选择虚部峰值处的温度作为缩放参数,对实部和虚部的测量结果进行归一化处理,结果发现在外加磁场为(325～32.5)×10~(-4) T的条件下,所测量的全部交流磁化率的实部和虚部曲线都可以约化为一条曲线,得到一个普遍的标度律关系,在50～100 K的温度范围内,该交流磁化率的标度律关系与试验数据非常吻合,根据这一特性,推导出了铋系多芯高温超导带材的临界电流密度方程.
关键词:
Bi-2223/Ag
,
交流磁化率
,
标度律
,
临界电流密度
侯艳荣
,
王大友
,
潘熙锋
,
闫果
材料导报
金属间化合物二硼化镁(MgB2)超导体被认为是目前最有可能首先实现大规模工业应用的超导材料,尤其在制冷机工作温度(15～20 K)、较低磁场(1～2 T)条件的医疗核磁共振成像仪(MRI)超导磁体方面有着广阔的应用前景.回顾了MgB2超导块材在制备方面的最新研究进展,同时介绍了化学掺杂及磁通钉扎性能的研究进展;综述了前驱粉的选择、热处理条件、晶粒的连接性等一系列因素对MgB2块材性能的影响.
关键词:
二硼化镁
,
超导材料
,
临界电流密度
,
磁通钉扎
付尧
,
张松
,
吴燕平
,
邓朝勇
材料导报
元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义.介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因.
关键词:
MgB2
,
临界电流密度
,
上临界场
,
SiC掺杂
,
有机物掺杂
倪杰
,
刘志勇
,
鲁玉明
,
高波
,
蔡传兵
低温物理学报
通过三氟乙酸盐-金属有机物沉积方法（TFA-MOD）研究了Ce掺杂对钇钡铜氧（YBCO）超导薄膜性能的影响.观察到10 mol%Ce掺杂使YBCO超导薄膜的c轴取相降低,出现明显的a轴晶粒,薄膜表面变得粗糙.尽管超导临界温度稍有减小,其超导临界电流密度（Jc）在高磁场下性能获得了有效提高,当外磁场强度达到2T时,超导薄膜的钉扎力（Fp）达到了5 GN/m3,比纯YBCO的Fp提高了近30%.通过磁化临界电流密度对磁场的依赖关系得出了两种特征的磁场强度,即不可逆场和单磁场匹配场,由此获得了磁热相图及其受掺杂量的影响,一个明显的特征是65K温度下的不可逆场Hirr提高了近65%.
关键词:
TFA-MOD
,
YBCO
,
掺杂
,
临界电流密度
,
磁通钉扎
王大友
,
闫果
,
王庆阳
,
潘熙锋
,
刘国庆
,
熊晓梅
,
冯勇
,
张平祥
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2015.05.11
MgB2超导线带材在新型制冷机直接冷却超导磁共振成像仪(MRI)领域有着良好的应用前景.分析了实用化MgB2超导线带材制备中存在的关键技术问题,详细评述了MgB2超导线带材粉末装管法(包括原位法和先位法)国内外最新研究进展,对比分析了两种方法制备MgB2超导线带材的优缺点,讨论了制备过程中影响MgB2超导线带材临界电流密度、超导芯丝尺寸等实用化特性的关键因素.提出了若干进一步提高MgB2超导线带材综合性能的技术途径并对实用化千米级MgB2线带材制备技术的发展进行了展望.
关键词:
MgB2
,
超导线带材
,
塑性变形
,
临界电流密度
刘鑫
,
熊杰
,
张飞
,
赵晓辉
,
赵睿鹏
,
陶伯万
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13277
采用单一液相混合源进液及闪蒸的MOCVD系统在LaA1O3(001)单晶基片上制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜,研究混合源中Ba含量对YBCO超导薄膜成分、结构及电流承载能力的影响.结果表明,当Ba含量较小时,YBCO薄膜中易于形成尺寸较小的CuO颗粒;随着Ba含量的增加,薄膜中形成Ba2CuO3晶粒,并且Ba2CuO3晶粒尺寸随Ba含量的增加而逐渐增大.杂质相的含量、尺寸以及与YBCO的晶格匹配程度对YBCO薄膜的双轴取向生长和电流承载能力具有重要影响.当原料摩尔配比Ba/Y=3.9时,成功制备出了具有优异面内面外取向、结构致密的YBCO超导薄膜,77 K下的300 nm厚度薄膜的临界电流密度达到4.0 MA/cm2,该研究结果对于第二代涂层导体的发展具有重要意义.
关键词:
MOCVD
,
YBCO
,
高温超导
,
临界电流密度
张科
,
张平祥
,
郭建华
,
贾晶晶
,
高慧贤
,
李建峰
,
刘建伟
,
冯勇
,
刘向宏
低温物理学报
采用青铜法工艺制备了Nb3Sn超导线材,研究了不同的结构设计、中间退火温度、成相热处理制度等对线材性能的影响.实验结果表明,具有相同的青铜/NbTa体积比而芯丝直径不同的线材,芯丝尺寸在合理范围内越小,临界电流密度越高;使用Ta阻隔层的线材的磁滞损耗有大幅下降,但其加工性能较之Nb阻隔层要差;低的退火温度在改善青铜加工硬化的同时减少了Nb3Sn超导相预反应生成量,线材性能较高.
关键词:
青铜法Nb3Sn线材
,
临界电流密度
,
磁滞损耗
,
显微结构
