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CuO在气敏传感器中的应用研究进展

闫会影 , 田先清 , 孙杰 , 马凤国

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.17.015

综述了近年来CuO在气敏传感器中的应用研究进展,主要包括纳米结构CuO作为主体传感材料以及掺杂剂时的应用.着重介绍了一维CuO纳米线、纳米棒、纳米管的制备方法及其对常见多种可燃或有毒气体的气敏响应情况.指出了纳米结构CuO是今后CuO在气敏传感器中的重点发展方向,最后提出了CuO气敏材料应用时存在的一些问题以及今后的研究工作重点.

关键词: 氧化铜 , 气敏传感器 , 纳米线 , 纳米棒 , 纳米管 , 掺杂剂

掺杂原子质量对硅声子散射的影响

周敏 , 姚曼 , 陈序良 , Simon R.Phillpot

材料科学与工程学报

本文采用分子动力学方法,重点研究了掺杂原子质量对硅晶格振动行为的影响,在原子尺度上清楚地展示出目前实际无法展现的点缺陷影响声子散射的演化过程.结果表明:同位素掺杂的存在会在特定声子频率区引起共振,使透射率显著减少,掺杂原子质量较大时共振区域明显扩大,且透射率随掺杂浓度增加下降得越快,会使材料导热性变差;掺杂原子质量相同时,共振区中最小透射率对应的频率值不随浓度变化而改变.在大于共振频率时,有明显LA到TA声子模式的转变,随掺杂原子质量的增加TA模式所占比例增大.这些结果对深入认识点缺陷对晶格导热微观机制的影响有积极意义.

关键词: 掺杂 , 声子散射 , 分子动力学模拟 , 原子质量

低氟MOD法制备Zr掺杂YBCO薄膜的研究

叶帅 , 索红莉 , 刘敏 , 汤潇 , 吴紫平 , 周美玲

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.01205

在金属有机盐沉积(MOD)法制备YBCO薄膜的工艺中, 采用无F的α甲基丙烯酸铜取代原来的三氟乙酸铜, 可以降低前驱溶液中大约50%的氟含量. 研究表明, 该方法大大缩短了YBCO前驱薄膜受热分解的时间, 仅为原来的1/7. 通过XRD、SEM分析发现, 该方法可以制备成分单一、具有良好立方织构的YBCO薄膜, 且薄膜表面平整致密, 没有裂纹, 临界温度(T_c)达到了90K左右, 77K、自场下的临街电流密度(J_c)达到了2.84MA/cm~2. 通过在制备的YBCO薄膜中引入6mol% 的 Zr元素掺杂, 有效地提高了YBCO薄膜在外加磁场下的超导性能.

关键词: α-甲基丙烯酸铜 , 低氟MOD , YBCO薄膜 , 掺杂

DCJTB掺杂浓度对OLED器件性能的影响

刘丁菡 , 张方辉 , 牟强

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.05.012

通过在发光层ADN:TBPe:DCJTB中改变DCJTB的掺杂浓度,得到了一种高效的白光OLED器件.考察了同一掺杂浓度TBPe下不同浓度的DCJTB的器件性能,发现当DCJTB掺杂浓度为1%(质量分数)时,器件获得最大电流效率6.6 cd/A和最大功率效率3.21 lm/W,此时亮度为10 520 cd/m2,对应的CIE坐标为(0.318 6,0.352 0).通过改变DCJTB浓度,能够获得不同的器件颜色.

关键词: 有机电致发光 , DCJTB , 掺杂剂 , 亮度

Ag掺杂In2 S3薄膜的拉曼光谱研究

林斯乐 , 马靖 , 程树英

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.031

利用拉曼光谱结合 XRD与 SEM测试对未掺杂与Ag掺杂的 In2 S3薄膜进行了分析研究。XRD测试结果确定了 In2 S3的物相,并表明掺杂后晶粒尺寸发生一定的变化;拉曼光谱研究表明,掺杂后232、272及300cm-13条拉曼谱线发生红移,这是由于掺杂后晶格膨胀引起的。结合部分拉曼谱线半高宽的展宽证实了掺杂后薄膜中存在间隙 Ag 原子;SEM的测试结果进一步证实Ag掺杂后In2 S3晶格存在膨胀,并说明了In2 S3薄膜的生长方式。

关键词: In2S3 薄膜 , 掺杂 , 拉曼光谱

(Ga,Mn)As稀磁半导体的杂质动力学模拟研究

张玉光 , 唐政

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.030

结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体(Ga,Mn) As中Mn杂质的沉积动力学规律.利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了Mn杂质的跃迁势垒和结合能,并把这些能量作为动力学蒙特卡罗模拟(Ga,Mn) As微观结构演化的输入数据.结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制是Ga空位调节Mn原子在Ga子晶格上进行扩散.这种扩散会导致Mn原子的聚集,进而降低了居里温度.此外,随着退火温度的升高Mn团簇聚集的速率也更快.在高温退火下容易导致相分离.

关键词: 稀磁半导体 , 掺杂 , 动力学蒙特卡罗

纳米ZnO气敏传感器研究进展

宣天美 , 尹桂林 , 葛美英 , 林琳 , 何丹农

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.01.023

半导体金属氧化物气敏传感器被广泛应用于有毒性气体、可燃性气体等的检测.ZnO是一种重要的半导体气敏材料,特别是纳米ZnO,由于其粒子尺寸小,比表面积大,成为被广泛研究的气敏响应材料之一.简要介绍了纳米ZnO气敏传感器的气敏机理、主要特性,综述了通过新型纳米形貌、结构制备以及元素掺杂改性提升纳米ZnO气敏性能等方面的研究进展,并进一步指出了纳米ZnO气敏传感器研究中存在的问题和未来的研究方向.

关键词: 氧化锌 , 掺杂 , 气敏传感器

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