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不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响

叶芸 , 陈填源 , 蔡寿金 , 颜敏 , 刘玉会 , 郭太良

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.13100

首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能,并进一步研究了其场发射性能.研究结果表明:水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大,在500 sccm空气流量条件下,通入水汽(500 sccm)条.件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比,其密度明显增大,场发射性能提升,其开启场强约为3.7 V/μm,明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm);此外,制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势,并且,在通入水汽流量为3000 sccm时,获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能,其开启场强低至1.4 V/μm.

关键词: CuO纳米线 , 热氧化法 , 环境湿度 , 场发射

脉冲电压下环境湿度对PI薄膜局部放电特性的影响机理

罗杨 , 杨新春 , 石超群 , 朱光亚 , 吴广宁

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.05.014

以聚酰亚胺普通薄膜和聚酰亚胺纳米(Al2O3)复合薄膜为研究对象,研究了环境湿度对聚酰亚胺(poly-imide,PI)薄膜局部放电参量的影响机理.结果表明:在低湿度下,随着湿度的增加,薄膜在重复脉冲下的局部放电起始电压(repetitive partial discharge inception voltage,RPDIV)降低,平均放电次数和平均放电幅值升高;在高湿度环境中,随着湿度的增加,薄膜的RPDIV呈升高趋势,平均放电次数和平均放电幅值降低.湿度对薄膜绝缘寿命的影响存在一个临界值.

关键词: 聚酰亚胺薄膜 , 局部放电 , 环境湿度 , 绝缘寿命

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