马伟伟
,
周明
,
李刚
,
袁润
,
冯程程
材料科学与工程学报
采用化学气相沉积法(CVD),在溅射了镍薄膜的硅基底上制备了定向碳纳米管薄膜.对镍薄膜的氨气预处理过程及其机理进行了研究.结果发现预处理后的岛状区域随着薄膜厚度的增加而增加,纳米粒子区域的变化则与之相反.对5nm的镍薄膜进行预处理能获得细化和均匀分布的纳米粒子,有利于定向碳纳米管的生长.碳纳米管的生长过程及其细微结构与温度有很大关系.碳源的分解、碳原子在催化剂内部的扩散以及催化剂粒子的团聚三者之间的竞争决定了碳纳米管的生长情况.本文分析了碳纳米管的顶部生长模式及该模式下催化剂粒子的形态变化.
关键词:
预处理
,
刻蚀
,
定向碳纳米管
,
化学气相沉积
焦亚萍
,
项腾飞
,
梅天庆
,
任春春
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2015.08.010
实验采用碱性除油去除ITO导电玻璃表面的油污,用磷酸溶液进行蚀刻以提高化学镀镍镀层的结合力,以硫酸镍为主盐进行了化学镀镍.研究了除油和蚀刻的工艺条件对镀镍层性能的影响,确定了化学镀镍前处理的最佳工艺参数.结果表明,用碱性化学除油液在25～35 ℃,除油6 min,用磷酸溶液在40℃左右,蚀刻3min的条件下进行前处理,所得镀层覆盖率高、选择性优,与基体的结合力良好.
关键词:
ITO导电玻璃
,
化学镀镍
,
前处理
,
除油
,
蚀刻
王灿
,
陈宁
,
刘英伟
,
赵磊
,
薛大鹏
,
杜建华
,
郭炜
,
王路
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0276
氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用.在高厚度(尤其是大于70 nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度.本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值.
关键词:
薄膜晶体管
,
非晶氧化铟锡
,
残留
,
成膜
,
刻蚀
李田生
,
谢振宇
,
李婧
,
阎长江
,
徐少颖
,
陈旭
,
闵泰烨
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0720
TFT-LCD产品为现代显示的主流,如何提高其显示品质成为大家普遍关注的问题,尤其近期发现的过孔发黑(黑点)问题尤为突出,严重影响了产品的良率,降低了产品的品质,文章通过研究发现产生黑点不良的罪魁祸首不是过孔刻蚀的问题,而是有源层刻蚀工艺所导致的,并有针对性地进行了试验设计,分别考察了有源层刻蚀条件、附加一步刻蚀方式对黑点不良的解决效果,根据实验效果附加一步刻蚀方式完美地解决了黑点不良问题,从而将产品的良率提升了3％～4％,而电学性能评价(Ion:开态电流、Ioff:关态电流、Vth:阈值电压、迁移率)和正常条件相比没有异常,从而获得了最终完美的解决该不良的方案,提高了产品品质.
关键词:
有源层
,
刻蚀
,
黑点
李田生
,
陈旭
,
谢振宇
,
徐少颖
,
闵泰烨
,
张学智
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0674
为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比).实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10％～20％.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.
关键词:
钝化层
,
刻蚀
,
过孔
