王进
,
吴卫东
,
曹林洪
,
王雪敏
,
王瑜英
材料导报
二维蜂巢状结构的石墨烯拥有独特的电学特性,其极高的电子迁移率、异常的量子霍尔效应、室温下亚微米尺度的弹道输运特性使之成为电子元器件研究的热点.简要介绍了近年来石墨烯电学方面的发展概况,其中包括晶界、晶畴对电学性能的影响,石墨烯场效应晶体管,石墨烯量子点,石墨烯pn结,石墨烯电学性能在磁场中的应用和石墨烯相关衍生物的电学性质.
关键词:
石墨烯
,
电学
,
场效应晶体管
,
量子点
崔秋红
,
侯延冰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0461
在共轭光电材料的应用中,材料的溶解度决定着其加工性能,而分子规则的自组装排列对于其在固态中的结晶性起着重要作用.然而如何保证材料同时具有高的溶解度和结晶性是目前共轭有机半导体研究的一个难点.本工作选择两个相似共轭分子进行研究,其中:一个是平面结构,另一个是扭曲结构.结果发现扭曲结构分子不仅溶解度比平面结构分子大,而且在固态状态下,会自发转变成平面结构获得更好的结晶性.进一步研究分子薄膜器件的微纳结构对电学性能的影响.结果表明扭曲分子的场效应晶体管性能优于平面分子,迁移率达到6.73×10-3 cm2/V·s,比平面分子薄膜的迁移率高出一个数量级.本文揭示分子结构、聚集态结构与电学性能之间的关系,为未来设计合成高效共轭分子提供了新思路.
关键词:
共轭分子
,
分子自组装
,
迁移率
,
场效应晶体管
汪列隆
人工晶体学报
以红磷、锡和四碘化锡为原料制备黑磷,并用黑磷(BP)纳米材料制作场效应管,用X射线衍射谱(XRD)和光学显微镜(OM)分析了BP样品的结构和形貌,并测试其输出特性曲线和转移特性曲线.BP样品厚度为12 nm,通过计算,其电子迁移率μe=248 cm2/Vs,电流开关比为～103.结果表明,基于BP纳米材料场效应管具有较好电子迁移率和开关比,为BP成为未来光电器件备选材料研究奠定基础.
关键词:
黑磷
,
形貌
,
场效应管
,
FET性能
