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表面形貌特殊的碳纳米管薄膜及其场发射增强

陈婷 , 郭平生 , 王莉莉 , 冯涛 , 陈弈卫 , 张哲娟 , 林丽锋 , 阙文修 , 孙卓

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.010

采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构.通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能.实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm时的开启电场分别仅为1.02 V/btm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm2和6.88 mA/cm2.通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10 113和6 840.这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关.表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子.

关键词: 场发射显示 , 碳纳米管 , 场发射 , 表面形貌

全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究

杨雄 , 胡利勤 , 吴朝兴 , 陈勇 , 林志龙 , 郭太良

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.008

模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器.采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数.取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54 mm×54 mm的单色显示屏.在阳压为1500 V、栅压为300 V时,器件发射电流密度达到5μA/c㎡.该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示.

关键词: 丝网印刷 , 后栅 , ANSYS , 场发射显示器 , 仿真

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