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反应扩散连接高铌TiAl合金

宋晓国 , 曹健 , 刘甲坤 , 赵立岩 , 冯吉才

稀有金属材料与工程

采用Al箔作中间层在1200℃/2 h条件下通过反应扩散连接成功实现了高铌TiAl合金(TAN)的焊接,深入研究了接头的界面微观组织结构和连接机理.结果表明:连接过程中Al箔熔化成液相后与高铌TiAl反应在接头中形成了连续的TiAl3化合物层;在高温扩散作用下,TiAl3化合物逐渐转变为γ-TiAl相;最后经焊后热处理形成了γ+α2层片组织.另外,当直接采用高铌TiAl合金的热处理工艺进行焊接时,亦可以获得具有层片组织的接头.

关键词: 金属间化合物合金 , 连接 , 扩散 , 界面组织

用Ni-Ti粉末做中间层连接C/C复合材料和GH3128镍基高温合金

郭领军 , 李贺军 , 郭琛 , 李克智 , 冯涛

稀有金属材料与工程

通过包埋工艺在C/C复合材料表面制备了改性SiC涂层.采用Ni-Ti粉末作中间层连结材料,利用真空热压扩散工艺成功制备了SiC涂层改性C/C复合材料与GH3128镍基高温合金的连接样件.借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、能谱分析仪和材料万能试验机,研究了SiC涂层改性C/C复合材料与GH3128镍基高温合金连接接头及其界面的元素分布、微观结构及力学性能.结果表明,在C/C复合材料表面制备SiC涂层,不仅充分改善了C/C复合材料对Ni-Ti中间层连结材料的润湿性,而且还有效缓解C/C复合材料与GH3128连接界面因热膨胀不匹配而造成的热应力.经过SiC涂层改性处理的连接接头,其室温剪切强度可达22.49 MPa;而没有经过SiC涂层改性处理的连接接头,其室温剪切强度几乎为零.

关键词: 连接 , C/C复合材料 , 镍基高温合金 , 剪切强度 , 微观结构

陶瓷-陶瓷粘接用微晶玻璃材料的研究

武秀兰 , 沈金锦 , 任强 , 左飞

稀有金属材料与工程

采用高温熔融水淬法制备了CaO-Al_2O_3-SiO_2系微晶玻璃熔块,用于高强度高压电瓷的低温粘接.利用XRD、SEM等分析方法,研究了粘接烧成工艺制度对粘接层的相组成、显微结构及抗弯强度的影响.研究结果表明,以适宜组成的CaO-Al_2O_3-SiO_2系微晶玻璃熔块和2%高岭土为粘结材料,粒度控制在125 μm以下,粘接层厚度1 mm,采用独特的粘接烧成工艺制度在1140 ℃下粘接烧成,粘接层是以柱状β-硅灰石为主晶相的微晶玻璃材料,结构致密,气孔小而少,粘接试样的抗弯强度达到88.6 MPa.

关键词: 粘接 , 微晶玻璃 , 显微结构 , 抗弯强度

C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究

王浩 , 周卿军 , 简科 , 邵长伟 , 朱旖华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.1255

采用st(o)ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化.对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接.结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好.

关键词: C/SiC复合材料 , 连接 , 先驱体转化技术 , 模板技术 , 有序多孔陶瓷接头

微晶玻璃焊料在连接过程中的晶化行为研究

朱巍巍 , 陈继春

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150255

采用一种添加Li2O和Fe2O3的CaO-Al2O3-SiO2基微晶玻璃连接氧化铝陶瓷.通过采用热分析(DTA)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析(XRD)等方法,研究了微晶玻璃焊料在连接过程中的晶化行为及其对接头力学性能的影响.结果表明,在传统的晶化处理过程中,此玻璃中能够析出锂辉石(LiAlSi2O6)、硅灰石(CaSiO3)、钙铁镏石(Ca3Fe2Si3O12)和钙长石(CaAl2Si2O8)四种晶体.然而,当采用此玻璃连接氧化铝陶瓷时,微晶玻璃的晶化过程与连接工艺密切相关.由于缺少足够的形核驱动力,采用焊后直接冷却的连接工艺只能获得完全玻璃态的接头中间层.通过在降温过程中引入形核-晶化的热处理工艺,促进了玻璃中间层的晶化,并且能够通过改变晶化温度来调整中间层的相组成.另外,晶化相的种类对接头力学性能有重要影响.当中间层中只形成钙长石时,接头强度达到247.5 MPa;而当中间层中有锂辉石或钙铁镏石析出时,接头强度仅为10~135MPa.

关键词: 氧化铝 , 微晶玻璃 , 连接 , 晶化行为

氮化硅陶瓷的液相连接研究

解荣军 , 黄莉萍 , 陈源 , 符锡仁

无机材料学报

本文研究了用氧氮玻璃作为中间层材料连接氮化硅陶瓷.结果表明,在1600℃×30min、5MPa的外加压力条件下,氮化硅陶瓷的结合强度达到基体氮化硅陶瓷的57%.结合层内的结构与基体氨化硅十分相似,但是晶粒尺寸较细,两者结构上的一致性对于提高结合强度起着重要的作用.

关键词: 连接 , silicon nitride , bonding strength

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