刘文洁
,
丁建旭
,
牟晓明
,
刘光霞
,
孙云
,
刘琳
,
王圣来
,
顾庆天
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.015
采用传统降温法生长了一系列的 K (H1-xDx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a 随氘含量的增加而增大,参数c 则小幅度增大。对晶体的高分辨 X 射线衍射研究,结果表明 KDP-DKDP 混晶中,D取代部分的 H 原子对晶体的结晶完整性影响较小。
关键词:
K(H1-xDx)2PO4 晶体
,
粉末
,
X射线衍射
,
晶胞参数
,
高分辨X射线衍射
,
结晶完整性
李慎兰
,
程宏辉
,
邓小霞
,
陈伟
,
陈德敏
,
杨柯
稀有金属材料与工程
研究了Cu含量变化对Lao.6Nd0.4Ni4.8Mn0 2Cux(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)合金系的晶胞参数、热力学性能以及贮氢性能的影响,讨论了晶胞参数与吸放氢平台压力以及吉布斯自由能之间的关系.研究结果表明,随着Cu含量的增加,晶胞参数á增加,c减小,晶胞体积先增大后减小;吸放氢平台压力随着晶胞参数á的增加呈线性降低;La0.6Nd0.4Ni4.8Mn0.2Cux合金的Seitz半径随着Cu含量的增加而减小,并且与△Sd/△Hd之间呈现非常好的线性关系,与△Sa/△Ha之间存在双曲线关系.
关键词:
贮氢合金
,
非化学计量比
,
平台压力
,
晶胞参数
,
热力学性能
张福生
,
陈秀芳
,
崔潆心
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肖龙飞
,
谢雪健
,
徐现刚
,
胡小波
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160129
采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征.结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52×1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长.用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍.HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延Ⅲ族氮化物材料适配度,并改善器件的性能.
关键词:
物理气相传输法
,
Ge掺杂
,
SiC晶体
,
晶格常数
