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氘含量对K(H1-xDx)2PO4晶体结构及完整性的影响

刘文洁 , 丁建旭 , 牟晓明 , 刘光霞 , 孙云 , 刘琳 , 王圣来 , 顾庆天

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.015

采用传统降温法生长了一系列的 K (H1-xDx)2PO4晶体。粉末X射线衍射(XRD)证明氘化后晶体的对称性并没有发生改变,晶胞参数a 随氘含量的增加而增大,参数c 则小幅度增大。对晶体的高分辨 X 射线衍射研究,结果表明 KDP-DKDP 混晶中,D取代部分的 H 原子对晶体的结晶完整性影响较小。

关键词: K(H1-xDx)2PO4 晶体 , 粉末 , X射线衍射 , 晶胞参数 , 高分辨X射线衍射 , 结晶完整性

La0.6Nd0.4Ni4.8Mn0.2Cux(X=0~0.4)贮氢合金的晶体结构及热力学性能

李慎兰 , 程宏辉 , 邓小霞 , 陈伟 , 陈德敏 , 杨柯

稀有金属材料与工程

研究了Cu含量变化对Lao.6Nd0.4Ni4.8Mn0 2Cux(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)合金系的晶胞参数、热力学性能以及贮氢性能的影响,讨论了晶胞参数与吸放氢平台压力以及吉布斯自由能之间的关系.研究结果表明,随着Cu含量的增加,晶胞参数á增加,c减小,晶胞体积先增大后减小;吸放氢平台压力随着晶胞参数á的增加呈线性降低;La0.6Nd0.4Ni4.8Mn0.2Cux合金的Seitz半径随着Cu含量的增加而减小,并且与△Sd/△Hd之间呈现非常好的线性关系,与△Sa/△Ha之间存在双曲线关系.

关键词: 贮氢合金 , 非化学计量比 , 平台压力 , 晶胞参数 , 热力学性能

Ge掺杂碳化硅晶体的生长缺陷

张福生 , 陈秀芳 , 崔潆心 , 肖龙飞 , 谢雪健 , 徐现刚 , 胡小波

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160129

采用物理气相传输法(PVT)制备了2英寸Ge掺杂和非掺SiC晶体,并使用二次离子质谱仪(SIMS)、显微拉曼光谱(Raman spectra)仪、体式显微镜、激光共聚焦显微镜(LEXT)和高分辨X射线衍射(HRXRD)仪等测试手段对其进行了表征.结果表明,Ge元素可以有效地掺入SiC晶体材料中,且掺杂浓度达到2.52×1018/cm3,伴随生长过程中Ge组份的消耗和泄漏,掺杂浓度逐渐降低;生长初期高浓度Ge掺杂会促使6H-SiC向15R-SiC晶型转化,并随着生长过程中Ge浓度的降低快速地转回6H-SiC稳定生长.用LEXT显微镜观察发现,生长初期过高的Ge掺杂导致空洞明显增多,位错密度增加,掺杂晶体中位错密度较非掺晶体增大一倍.HRXRD分析表明掺Ge能增大SiC晶格常数,这将有利于提高与外延Ⅲ族氮化物材料适配度,并改善器件的性能.

关键词: 物理气相传输法 , Ge掺杂 , SiC晶体 , 晶格常数

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