关荣锋
,
尤亚军
功能材料
doi:10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.70.25
采用磁控溅射预制In薄膜和硫化热处理工艺制备了性能优良的β‐In2 S3薄膜。应用XRD、拉曼光谱仪及U V‐Vis测试仪对薄膜的品质进行了分析，并测试了薄膜的光学与电学性能。结果表明，溅射功率和硫化热处理温度是影响薄膜品质的主要因素，比较合适的溅射功率为100～140 W ，硫化热处理温度为450℃，过高的热处理温度容易在薄膜中形成缺陷，在薄膜生长过程中容易产生In5 S4杂相，相比之下，溅射气体压强对薄膜品质的影响较小，溅射气体压强可选择在04．～06．Pa。光学与电学性能测试结果指出，得到的β‐In2 S3薄膜具有良好的光谱透过率，属n型半导体，可用于太阳能电池缓冲层。
关键词:
薄膜太阳电池
,
β-In2 S3
,
磁控溅射
,
硫化
,
热处理
陈义川
,
胡跃辉
,
张效华
,
马德福
,
刘细妹
,
徐斌
,
张志明
人工晶体学报
在不同衬底温度条件下采用RF磁控溅射法在石英玻璃上沉积Al-H共掺杂ZnO薄膜.对所有样品进行晶体结构、表面形貌、电学、光学以及室温光致发光性能分析.结果表明:随着衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶度增加,晶粒增大,薄膜致密度增加;薄膜表面起伏变化减小;同时,电阻率最低达到7.58×10-4Ω·cm,透过率保持在75％左右.所有ZnO薄膜样品都以本征发光为主,Al-H共掺杂在一定程度降低ZnO薄膜缺陷发光的强度;随着衬底温度的升高,ZnO薄膜的本征发光强度明显增大;同时在能量为3.45 eV附近观察到了一个紫外发光峰.
关键词:
Al-H共掺杂ZnO
,
光致发光
,
磁控溅射
