周建林
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张福甲
,
彭俊彪
功能材料
研究制备了以聚苯乙烯(polystyrene)作为绝缘层,富勒烯C60为半导体有源层的一种全有机n型场效应晶体管.利用原子力显微镜(AFM)分析了聚苯乙烯薄膜及其表面C60薄膜的形貌.电学特性测试结果表明器件性能优良,场效应电子迁移率达到1.05cm2/V·s,开关比为9.4×105.
关键词:
聚苯乙烯
,
C60
,
n型
,
有机场效应晶体管
胡晓君
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李荣斌
,
沈荷生
,
戴永兵
,
何贤昶
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.031
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜.Hall效应测试表明,800℃退火后,在注入的磷离子剂量相同的情况下,共注入硼的金刚石薄膜的载流子浓度与单一掺磷的相近,但Hall迁移率高,电阻率低.FTIR结果表明B-H结的形成钝化了硼的受主特性,使磷的施主特性没有被补偿,共掺杂薄膜中载流子浓度没有大幅度减少.EPR和Raman测试结果证实了较高温度退火后的共掺杂薄膜的晶格结构比单掺杂薄膜的更完整,从而有利于提高载流子迁移率,降低电阻率.
关键词:
金刚石薄膜
,
共掺杂
,
n型
,
电阻率
李荣斌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.006
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备硫掺杂及硼/硫共掺杂n型金刚石薄膜,探讨n型CVD金刚石薄膜的特性和共掺杂机理.研究结果显示:随着单一硫(S)掺杂含量的增加,金刚石薄膜导电激活能降低,薄膜生长速率减小,薄膜中非金刚石结构相增多;硼/硫(B-S)共掺杂有利于增加硫在金刚石中的固溶度,提高硫在金刚石晶体中的掺杂率,降低金刚石薄膜的导电激活能(在0.26～0.33eV);与单一S掺杂相比较,B-S共掺杂金刚石薄膜生长速率低,薄膜质量和晶格完整性好;霍耳效应测试表明硫掺杂和硼/硫共掺杂金刚石薄膜具有n型导电特征,载流子浓度在1016-1018/cm3之间,载流子迁移率在7～80cm2V-1s-1之间.采用B-S共掺杂技术有利于提高CVD金刚石薄膜的晶格完整性,使得B-S共掺杂金刚石薄膜具有更高的载流子迁移率.
关键词:
共掺杂
,
n型
,
金刚石薄膜
