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PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

李旺 , 刘石勇 , 刘路 , 王仕鹏 , 黄海燕 , 牛新伟 , 陆川

人工晶体学报

利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13%,电池的转化效率还存在较大的提升空间.

关键词: 聚酰亚胺 , n-i-p结构 , 激光划分绝缘 , 掩盖分割 , 非晶硅薄膜 , 太阳能电池

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