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热处理升温快慢对非晶硅中形成的纳米硅粒尺寸的影响

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2002.05.014

含氢非晶硅薄膜经过快速热退火处理后,我们用拉曼散射和X-射线衍射技术对样品进行分析.我们的实验结果表明:在非晶硅薄膜中形成的纳米硅晶粒的大小随着热退火过程中升温快慢而变化.在升温过程中,当单位时间内温度变化量较大时(～100℃/s),则所形成纳米硅粒较小(～1.6～15 nm);若单位时间内温度变化量较低(～1℃/s),则纳米硅粒较大(～23～46 nm).根据分形生长理论和计算机模拟,我们讨论了升温快慢与所形成的纳米硅颗粒大小的关系.

关键词: 纳米硅 , 拉曼散射 , 快速热退火 , X-射线衍射